SMUN2216T1G,805-4465,ON Semiconductor SMUN2216T1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SC-59封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor SMUN2216T1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SC-59封装

制造商零件编号:
SMUN2216T1G
库存编号:
805-4465
ON Semiconductor SMUN2216T1G
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SMUN2216T1G产品详细信息

单电阻器数字晶体管,ON Semiconductor

标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

SMUN2216T1G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1.2mm  
  典型电阻比  无  
  典型输入电阻器  4.7 kΩ  
  封装类型  SC-59  
  高度  1.2mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  汽车标准  AEC-Q101  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  338 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.25 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  100 mA  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  160  
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安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  ON Semiconductor 长度 3.1mm  数字晶体管 长度 3.1mm  ON Semiconductor 数字晶体管 长度 3.1mm   尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm  ON Semiconductor 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm  数字晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm  ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm   典型电阻比 无  ON Semiconductor 典型电阻比 无  数字晶体管 典型电阻比 无  ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 无   典型输入电阻器 4.7 kΩ  ON Semiconductor 典型输入电阻器 4.7 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ  ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ   封装类型 SC-59  ON Semiconductor 封装类型 SC-59  数字晶体管 封装类型 SC-59  ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SC-59   高度 1.2mm  ON Semiconductor 高度 1.2mm  数字晶体管 高度 1.2mm  ON Semiconductor 数字晶体管 高度 1.2mm   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.7mm  ON Semiconductor 宽度 1.7mm  数字晶体管 宽度 1.7mm  ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.7mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   汽车标准 AEC-Q101  ON Semiconductor 汽车标准 AEC-Q101  数字晶体管 汽车标准 AEC-Q101  ON Semiconductor 数字晶体管 汽车标准 AEC-Q101   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 338 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 338 mW  数字晶体管 最大功率耗散 338 mW  ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 338 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V  ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V   最大集电极-发射极电压 50 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  ON Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  ON Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  数字晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 160  ON Semiconductor 最小直流电流增益 160  数字晶体管 最小直流电流增益 160  ON Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 160  
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ON Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

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Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR NPN 50V

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R (Alt: SMUN2216T1G)

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R - Tape and Reel (Alt: SMUN2216T1G)

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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SMUN2216T1G NPN Digital Transistor,100 mA 50V 4.7 kOhm,Ratio Of None,3-Pin SC-59

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ON Semiconductor - SMUN2216T1G - TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59

型号:SMUN2216T1G
仓库库存编号:SMUN2216T1G-ND

无铅
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ON Semiconductor - SMUN2216T1G - ON Semiconductor SMUN2216T1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SC-59封装

制造商零件编号:
SMUN2216T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
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SMUN2216T1G|ON SemiconductorSMUN2216T1G
ON Semiconductor
TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
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ON Semiconductor - SMUN2216T1G - 3-Pin SC-59 Ratio Of None 100 mA 50V 4.7 kOhm SMUN2216T1G NPN Digital Transistor|70467668 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
SMUN2216T1G NPN Digital Transistor, 100 mA 50V 4.7 kOhm, Ratio Of None, 3-Pin SC-59


型号:SMUN2216T1G
仓库库存编号:70467668

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TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
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QQ:800152669

SMUN2216T1G产品技术参数资料

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