NSTB1002DXV5T1G,802-4118,ON Semiconductor NSTB1002DXV5T1G 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA, -200 (PNP) mA, Vce=-40 (PNP) V, 50 (NPN) V, 47 kΩ ,ON Semiconductor
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NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor NSTB1002DXV5T1G 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA, -200 (PNP) mA, Vce=-40 (PNP) V, 50 (NPN) V, 47 kΩ
制造商零件编号：
NSTB1002DXV5T1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
802-4118
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NSTB1002DXV5T1G产品详细信息
双 NPN/PNP 晶体管，On Semiconductor
每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备
NSTB1002DXV5T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.7mm
尺寸
1.7 x 1.3 x 0.6mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
47 kΩ
封装类型
SOT-553
高度
0.6mm
晶体管类型
NPN，PNP
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
5
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
500 mW
最大基极-发射极饱和电压
0.85 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
-40 (PNP) V, 50 (NPN) V
最大连续集电极电流
-200 (PNP) mA, 100 (NPN) mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
关键词
NSTB1002DXV5T1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.7mm
ON Semiconductor 长度 1.7mm
数字晶体管 长度 1.7mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 1.7mm
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
ON Semiconductor 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
数字晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
典型电阻比 1
ON Semiconductor 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 47 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 47 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 47 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 47 kΩ
封装类型 SOT-553
ON Semiconductor 封装类型 SOT-553
数字晶体管 封装类型 SOT-553
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SOT-553
高度 0.6mm
ON Semiconductor 高度 0.6mm
数字晶体管 高度 0.6mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 0.6mm
晶体管类型 NPN，PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP
数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP
宽度 1.3mm
ON Semiconductor 宽度 1.3mm
数字晶体管 宽度 1.3mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
数字晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 5
ON Semiconductor 引脚数目 5
数字晶体管 引脚数目 5
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 5
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 500 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 500 mW
数字晶体管 最大功率耗散 500 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 500 mW
最大基极-发射极饱和电压 0.85 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 0.85 V
数字晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.85 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.85 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 -40 (PNP) V, 50 (NPN) V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 -40 (PNP) V, 50 (NPN) V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -40 (PNP) V, 50 (NPN) V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -40 (PNP) V, 50 (NPN) V
最大连续集电极电流 -200 (PNP) mA, 100 (NPN) mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 -200 (PNP) mA, 100 (NPN) mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 -200 (PNP) mA, 100 (NPN) mA
ON Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 -200 (PNP) mA, 100 (NPN) mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 最小直流电流增益 100
数字晶体管 最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 100
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NSTB1002DXV5T1G产品技术参数资料
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