EMD4DXV6T1G,801-0159,ON Semiconductor EMD4DXV6T1G 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 SOT-563封装 ,ON Semiconductor
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EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor EMD4DXV6T1G 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 SOT-563封装
制造商零件编号：
EMD4DXV6T1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
801-0159
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
EMD4DXV6T1G产品详细信息
双电阻器双数字晶体管，ON Semiconductor
EMD4DXV6T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.7mm
尺寸
1.7 x 1.3 x 0.6mm
典型电阻比
0.21
典型输入电阻器
10 kΩ
封装类型
SOT-563
高度
0.6mm
晶体管类型
NPN，PNP
晶体管配置
隔离式
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
500 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
80
关键词
EMD4DXV6T1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.7mm
ON Semiconductor 长度 1.7mm
数字晶体管 长度 1.7mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 1.7mm
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
ON Semiconductor 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
数字晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
典型电阻比 0.21
ON Semiconductor 典型电阻比 0.21
数字晶体管 典型电阻比 0.21
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 0.21
典型输入电阻器 10 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 10 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
封装类型 SOT-563
ON Semiconductor 封装类型 SOT-563
数字晶体管 封装类型 SOT-563
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SOT-563
高度 0.6mm
ON Semiconductor 高度 0.6mm
数字晶体管 高度 0.6mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 0.6mm
晶体管类型 NPN，PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP
数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP
晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式
数字晶体管 晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.3mm
ON Semiconductor 宽度 1.3mm
数字晶体管 宽度 1.3mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
数字晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
数字晶体管 引脚数目 6
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 500 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 500 mW
数字晶体管 最大功率耗散 500 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 500 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 80
ON Semiconductor 最小直流电流增益 80
数字晶体管 最小直流电流增益 80
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EMD4DXV6T1G产品技术参数资料
Datasheet
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