DTC123JET1G,801-0096,ON Semiconductor DTC123JET1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SC-75封装 ,ON Semiconductor
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DTC123JET1G
ON Semiconductor DTC123JET1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SC-75封装
制造商零件编号:
DTC123JET1G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
801-0096
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DTC123JET1G产品详细信息
双电阻器数字 NPN 晶体管,ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
DTC123JET1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.65mm
尺寸
1.65 x 0.9 x 0.8mm
典型电阻比
0.047
典型输入电阻器
2.2 kΩ
封装类型
SC-75
高度
0.8mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
0.9mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
300 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
80
关键词
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.65mm
ON Semiconductor 长度 1.65mm
数字晶体管 长度 1.65mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 1.65mm
尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
ON Semiconductor 尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
数字晶体管 尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
典型电阻比 0.047
ON Semiconductor 典型电阻比 0.047
数字晶体管 典型电阻比 0.047
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 0.047
典型输入电阻器 2.2 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 2.2 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
封装类型 SC-75
ON Semiconductor 封装类型 SC-75
数字晶体管 封装类型 SC-75
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SC-75
高度 0.8mm
ON Semiconductor 高度 0.8mm
数字晶体管 高度 0.8mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 0.8mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单
宽度 0.9mm
ON Semiconductor 宽度 0.9mm
数字晶体管 宽度 0.9mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 0.9mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 300 mW
数字晶体管 最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 300 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 100 mA
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数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
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ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 80
ON Semiconductor 最小直流电流增益 80
数字晶体管 最小直流电流增益 80
ON Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 80
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DTC123JET1G产品技术参数资料
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