DTC123EM3T5G,801-0092,ON Semiconductor DTC123EM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-723封装 ,ON Semiconductor
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DTC123EM3T5G
ON Semiconductor DTC123EM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-723封装
制造商零件编号：
DTC123EM3T5G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
801-0092
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
DTC123EM3T5G产品详细信息
双电阻器数字 NPN 晶体管，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
DTC123EM3T5G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.25mm
尺寸
1.25 x 0.85 x 0.55mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
2.2 kΩ
封装类型
SOT-723
高度
0.55mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
0.85mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
338 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
8
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.25mm
ON Semiconductor 长度 1.25mm
数字晶体管 长度 1.25mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 1.25mm
尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
ON Semiconductor 尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
数字晶体管 尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
典型电阻比 1
ON Semiconductor 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 2.2 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 2.2 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
封装类型 SOT-723
ON Semiconductor 封装类型 SOT-723
数字晶体管 封装类型 SOT-723
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SOT-723
高度 0.55mm
ON Semiconductor 高度 0.55mm
数字晶体管 高度 0.55mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 0.55mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单
宽度 0.85mm
ON Semiconductor 宽度 0.85mm
数字晶体管 宽度 0.85mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 0.85mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 338 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 338 mW
数字晶体管 最大功率耗散 338 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 338 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
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最大连续集电极电流 100 mA
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 8
ON Semiconductor 最小直流电流增益 8
数字晶体管 最小直流电流增益 8
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DTC123EM3T5G产品技术参数资料
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