DTA114TET1G,801-0055,ON Semiconductor DTA114TET1G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SC-75封装 ,ON Semiconductor
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DTA114TET1G
ON Semiconductor DTA114TET1G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SC-75封装
制造商零件编号：
DTA114TET1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
801-0055
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
DTA114TET1G产品详细信息
单电阻器数字晶体管，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
DTA114TET1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.65mm
尺寸
1.65 x 0.9 x 0.8mm
典型电阻比
无
典型输入电阻器
10 kΩ
封装类型
SC-75
高度
0.8mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
0.9mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
300 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
160
关键词
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.65mm
ON Semiconductor 长度 1.65mm
数字晶体管 长度 1.65mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 1.65mm
尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
ON Semiconductor 尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
数字晶体管 尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm
典型电阻比 无
ON Semiconductor 典型电阻比 无
数字晶体管 典型电阻比 无
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 无
典型输入电阻器 10 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 10 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
封装类型 SC-75
ON Semiconductor 封装类型 SC-75
数字晶体管 封装类型 SC-75
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SC-75
高度 0.8mm
ON Semiconductor 高度 0.8mm
数字晶体管 高度 0.8mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 0.8mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
数字晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单
宽度 0.9mm
ON Semiconductor 宽度 0.9mm
数字晶体管 宽度 0.9mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 0.9mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 300 mW
数字晶体管 最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 300 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
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最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 160
ON Semiconductor 最小直流电流增益 160
数字晶体管 最小直流电流增益 160
ON Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 160
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DTA114TET1G产品技术参数资料
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