MUN5214DW1T1G,791-6249,ON Semiconductor MUN5214DW1T1G 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-363封装 ,ON Semiconductor
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MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor MUN5214DW1T1G 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-363封装
制造商零件编号:
MUN5214DW1T1G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
791-6249
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MUN5214DW1T1G产品详细信息
双电阻器双数字晶体管,ON Semiconductor
MUN5214DW1T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 1mm
典型电阻比
0.21
典型输入电阻器
10 kΩ
封装类型
SOT-363
高度
1mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
隔离式
宽度
1.35mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
3
最大功率耗散
256 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
80
关键词
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.2mm
ON Semiconductor 长度 2.2mm
数字晶体管 长度 2.2mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
数字晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
典型电阻比 0.21
ON Semiconductor 典型电阻比 0.21
数字晶体管 典型电阻比 0.21
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 0.21
典型输入电阻器 10 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 10 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
封装类型 SOT-363
ON Semiconductor 封装类型 SOT-363
数字晶体管 封装类型 SOT-363
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SOT-363
高度 1mm
ON Semiconductor 高度 1mm
数字晶体管 高度 1mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 1mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式
数字晶体管 晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.35mm
ON Semiconductor 宽度 1.35mm
数字晶体管 宽度 1.35mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
数字晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 256 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 256 mW
数字晶体管 最大功率耗散 256 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 256 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 80
ON Semiconductor 最小直流电流增益 80
数字晶体管 最小直流电流增益 80
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MUN5214DW1T1G产品技术参数资料
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