MMUN2112LT1G,781-4360,ON Semiconductor MMUN2112LT1G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 21 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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MMUN2112LT1G
ON Semiconductor MMUN2112LT1G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 21 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
MMUN2112LT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
781-4360
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MMUN2112LT1G产品详细信息
双电阻器数字 PNP 晶体管，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
MMUN2112LT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.04mm
尺寸
3.04 x 1.4 x 1.01mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
21 kΩ
封装类型
SOT-23
高度
1.01mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大功率耗散
400 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
60
关键词
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.04mm
ON Semiconductor 长度 3.04mm
数字晶体管 长度 3.04mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 3.04mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
ON Semiconductor 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
数字晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
典型电阻比 1
ON Semiconductor 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 21 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 21 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 21 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 21 kΩ
封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 封装类型 SOT-23
数字晶体管 封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1.01mm
ON Semiconductor 高度 1.01mm
数字晶体管 高度 1.01mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 1.01mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
数字晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
ON Semiconductor 宽度 1.4mm
数字晶体管 宽度 1.4mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.4mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 400 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 400 mW
数字晶体管 最大功率耗散 400 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 400 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
ON Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 60
ON Semiconductor 最小直流电流增益 60
数字晶体管 最小直流电流增益 60
ON Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 60
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MMUN2112LT1G产品技术参数资料
Datasheet
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