PDTC115TE,115,725-8502,NXP PDTC115TE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 电阻比:100 kΩ, 3引脚 SOT-416封装 ,NXP
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PDTC115TE,115
NXP PDTC115TE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 电阻比:100 kΩ, 3引脚 SOT-416封装
制造商零件编号:
PDTC115TE,115
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
725-8502
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PDTC115TE,115产品详细信息
单电阻器数字晶体管,Nexperia
PDTC115TE,115产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.8mm
尺寸
1.8 x 0.9 x 0.85mm
典型输入电阻器
100 kΩ
封装类型
SOT-416
高度
0.85mm
晶体管类型
NPN
宽度
0.9mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
150 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.15 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
关键词
PDTC115TE,115相关搜索
安装类型 表面贴装
NXP 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 1.8mm
NXP 长度 1.8mm
数字晶体管 长度 1.8mm
NXP 数字晶体管 长度 1.8mm
尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
NXP 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
NXP 数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
典型输入电阻器 100 kΩ
NXP 典型输入电阻器 100 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 100 kΩ
NXP 数字晶体管 典型输入电阻器 100 kΩ
封装类型 SOT-416
NXP 封装类型 SOT-416
数字晶体管 封装类型 SOT-416
NXP 数字晶体管 封装类型 SOT-416
高度 0.85mm
NXP 高度 0.85mm
数字晶体管 高度 0.85mm
NXP 数字晶体管 高度 0.85mm
晶体管类型 NPN
NXP 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
NXP 数字晶体管 晶体管类型 NPN
宽度 0.9mm
NXP 宽度 0.9mm
数字晶体管 宽度 0.9mm
NXP 数字晶体管 宽度 0.9mm
每片芯片元件数目 1
NXP 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
NXP 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
NXP 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
NXP 数字晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
NXP 最大发射极-基极电压 5 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
NXP 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 150 mW
NXP 最大功率耗散 150 mW
数字晶体管 最大功率耗散 150 mW
NXP 数字晶体管 最大功率耗散 150 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
NXP 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
最大集电极-发射极电压 50 V
NXP 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 100 mA
NXP 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
NXP 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
最低工作温度 -65 °C
NXP 最低工作温度 -65 °C
数字晶体管 最低工作温度 -65 °C
NXP 数字晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
NXP 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 100
NXP 最小直流电流增益 100
数字晶体管 最小直流电流增益 100
NXP 数字晶体管 最小直流电流增益 100
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PDTC115TE,115产品技术参数资料
TransDigital BJTNPN 50V 100mA 3Pin SMPAK
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