PDTC123JE,115,725-8492,NXP PDTC123JE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-416封装 ,NXP
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NXP PDTC123JE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-416封装

制造商零件编号：
PDTC123JE,115
制造商：
NXP NXP
库存编号：
725-8492
NXP PDTC123JE,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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PDTC123JE,115
库存编号:568-11247-2-ND		 NXP Semiconductors TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC750
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PDTC123JE,115
库存编号:568-11247-6-ND		 NXP Semiconductors TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC750
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PDTC123JE,115
库存编号:568-11247-1-ND		 NXP Semiconductors TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC750
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PDTC123JE,115产品详细信息

双电阻器数字 NPN 晶体管，Nexperia

PDTC123JE,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.8mm  
  尺寸  1.8 x 0.9 x 0.85mm  
  典型电阻比  0.047  
  典型输入电阻器  2.2 kΩ  
  封装类型  SOT-416  
  高度  0.85mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  10 V  
  最大功率耗散  150 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.1 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  100 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  100  
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PDTC123JE,115相关搜索

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  NXP 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.8mm  NXP 长度 1.8mm  数字晶体管 长度 1.8mm  NXP 数字晶体管 长度 1.8mm   尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm   典型电阻比 0.047  NXP 典型电阻比 0.047  数字晶体管 典型电阻比 0.047  NXP 数字晶体管 典型电阻比 0.047   典型输入电阻器 2.2 kΩ  NXP 典型输入电阻器 2.2 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ  NXP 数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ   封装类型 SOT-416  NXP 封装类型 SOT-416  数字晶体管 封装类型 SOT-416  NXP 数字晶体管 封装类型 SOT-416   高度 0.85mm  NXP 高度 0.85mm  数字晶体管 高度 0.85mm  NXP 数字晶体管 高度 0.85mm   晶体管类型 NPN  NXP 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  NXP 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  NXP 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.9mm  NXP 宽度 0.9mm  数字晶体管 宽度 0.9mm  NXP 数字晶体管 宽度 0.9mm   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  NXP 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 10 V  NXP 最大发射极-基极电压 10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V  NXP 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V   最大功率耗散 150 mW  NXP 最大功率耗散 150 mW  数字晶体管 最大功率耗散 150 mW  NXP 数字晶体管 最大功率耗散 150 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V  NXP 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V  NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V   最大集电极-发射极电压 50 V  NXP 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  NXP 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  NXP 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  数字晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP 数字晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 100  NXP 最小直流电流增益 100  数字晶体管 最小直流电流增益 100  NXP 数字晶体管 最小直流电流增益 100  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
PDTC123JE,115
[更多]		 Nexperia

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
PDTC123JE,115
[更多]		 Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R

pbFree: Yes

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PDTC123JE,115
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TRANS, NPN, 2K2/47K, 50V, 0.1A, SOT416

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PDTC123JE,115
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PDTC123J Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SC-75

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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PDTC123JE115
[更多]		 NXP Semiconductors  

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NXP USA Inc. - PDTC123JE,115 - TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75		NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75

型号：PDTC123JE,115
仓库库存编号：568-11247-1-ND
别名：568-11247-1 <br>

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NXP USA Inc. - PDTC123JE,115 - TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75		NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75

型号：PDTC123JE,115
仓库库存编号：568-11247-6-ND
别名：568-11247-6 <br>

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PDTC123JE,115
NEXPERIA PDTC123JE,115		2439578

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

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PDTC123JE,115
NEXPERIA PDTC123JE,115		1757991RL

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

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PDTC123JE,115
NEXPERIA PDTC123JE,115		1757991

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

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PDTC123JE115|NXPPDTC123JE115
NXP		晶体管 PNP 50V 0.1A SOT416
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无图PDTC123JE 115
NXP Semiconductors		开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
暂无PDF 		查价格库存
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PDTC123JE,115|NXP SemiconductorsPDTC123JE,115
NXP Semiconductors		 TRANS NPN 50V 100MA SOT416
Rohs

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NXP - PDTC123JE,115 - NXP PDTC123JE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-416封装
制造商零件编号：
PDTC123JE,115
品牌：
NXP
库存编号：
725-8492
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PDTC123JE,115|NXP SemiconductorsPDTC123JE,115
NXP Semiconductors		 TRANS NPN 50V 100MA SOT416
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PDTC123JE115|NXPPDTC123JE115
NXP		晶体管 PNP 50V 0.1A SOT416
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PDTC123JE,115|NXP SemiconductorsPDTC123JE,115
NXP Semiconductors		TRANS NPN 50V 100MA SOT416
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PDTC123JE,115产品技术参数资料

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