PDTA114EE,115,725-8489,NXP PDTA114EE,115 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装 ,NXP
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PDTA114EE,115
NXP PDTA114EE,115 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装
制造商零件编号:
PDTA114EE,115
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
725-8489
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PDTA114EE,115产品详细信息
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia
PDTA114EE,115产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.8mm
尺寸
1.8 x 0.9 x 0.85mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
10 kΩ
封装类型
SOT-416
高度
0.85mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
0.9mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-10 V
最大功率耗散
150 mW
最大集电极-发射极饱和电压
-0.15 V
最大集电极-发射极电压
-50 V
最大连续集电极电流
-100 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
30
关键词
PDTA114EE,115相关搜索
安装类型 表面贴装
NXP 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
NXP 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.8mm
NXP 长度 1.8mm
数字晶体管 长度 1.8mm
NXP 数字晶体管 长度 1.8mm
尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
NXP 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
NXP 数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm
典型电阻比 1
NXP 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
NXP 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 10 kΩ
NXP 典型输入电阻器 10 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
NXP 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ
封装类型 SOT-416
NXP 封装类型 SOT-416
数字晶体管 封装类型 SOT-416
NXP 数字晶体管 封装类型 SOT-416
高度 0.85mm
NXP 高度 0.85mm
数字晶体管 高度 0.85mm
NXP 数字晶体管 高度 0.85mm
晶体管类型 PNP
NXP 晶体管类型 PNP
数字晶体管 晶体管类型 PNP
NXP 数字晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
NXP 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
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宽度 0.9mm
NXP 宽度 0.9mm
数字晶体管 宽度 0.9mm
NXP 数字晶体管 宽度 0.9mm
每片芯片元件数目 1
NXP 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
NXP 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
NXP 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 -10 V
NXP 最大发射极-基极电压 -10 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V
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最大功率耗散 150 mW
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数字晶体管 最大功率耗散 150 mW
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最大集电极-发射极饱和电压 -0.15 V
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数字晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 30
NXP 最小直流电流增益 30
数字晶体管 最小直流电流增益 30
NXP 数字晶体管 最小直流电流增益 30
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PDTA114EE,115产品技术参数资料
TransDigital BJT PNP 50V 100mA 3P SMPAK
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