PDTA114EE,115,725-8489,NXP PDTA114EE,115 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装 ,NXP
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

NXP PDTA114EE,115 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装

制造商零件编号:
PDTA114EE,115
制造商:
NXP NXP
库存编号:
725-8489
NXP PDTA114EE,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PDTA114EE,115产品详细信息

双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia

PDTA114EE,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.8mm  
  尺寸  1.8 x 0.9 x 0.85mm  
  典型电阻比  1  
  典型输入电阻器  10 kΩ  
  封装类型  SOT-416  
  高度  0.85mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  -10 V  
  最大功率耗散  150 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  -0.15 V  
  最大集电极-发射极电压  -50 V  
  最大连续集电极电流  -100 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  30  
关键词         

PDTA114EE,115相关搜索

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  NXP 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.8mm  NXP 长度 1.8mm  数字晶体管 长度 1.8mm  NXP 数字晶体管 长度 1.8mm   尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm   典型电阻比 1  NXP 典型电阻比 1  数字晶体管 典型电阻比 1  NXP 数字晶体管 典型电阻比 1   典型输入电阻器 10 kΩ  NXP 典型输入电阻器 10 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ  NXP 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ   封装类型 SOT-416  NXP 封装类型 SOT-416  数字晶体管 封装类型 SOT-416  NXP 数字晶体管 封装类型 SOT-416   高度 0.85mm  NXP 高度 0.85mm  数字晶体管 高度 0.85mm  NXP 数字晶体管 高度 0.85mm   晶体管类型 PNP  NXP 晶体管类型 PNP  数字晶体管 晶体管类型 PNP  NXP 数字晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  NXP 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.9mm  NXP 宽度 0.9mm  数字晶体管 宽度 0.9mm  NXP 数字晶体管 宽度 0.9mm   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  NXP 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -10 V  NXP 最大发射极-基极电压 -10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V  NXP 数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V   最大功率耗散 150 mW  NXP 最大功率耗散 150 mW  数字晶体管 最大功率耗散 150 mW  NXP 数字晶体管 最大功率耗散 150 mW   最大集电极-发射极饱和电压 -0.15 V  NXP 最大集电极-发射极饱和电压 -0.15 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.15 V  NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.15 V   最大集电极-发射极电压 -50 V  NXP 最大集电极-发射极电压 -50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -50 V  NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -50 V   最大连续集电极电流 -100 mA  NXP 最大连续集电极电流 -100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 -100 mA  NXP 数字晶体管 最大连续集电极电流 -100 mA   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  数字晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP 数字晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 30  NXP 最小直流电流增益 30  数字晶体管 最小直流电流增益 30  NXP 数字晶体管 最小直流电流增益 30  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

PDTA114EE,115产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号