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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.3 x 0.9mm
典型电阻比	0.1
典型输入电阻器	4.7 kΩ
封装类型	SOT-23
高度	0.9mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	200 mW
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大连续集电极电流	100 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	70
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  数字晶体管 长度 2.9mm  Infineon 数字晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   典型电阻比 0.1  Infineon 典型电阻比 0.1  数字晶体管 典型电阻比 0.1  Infineon 数字晶体管 典型电阻比 0.1   典型输入电阻器 4.7 kΩ  Infineon 典型输入电阻器 4.7 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ  Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  数字晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon 数字晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  数字晶体管 高度 0.9mm  Infineon 数字晶体管 高度 0.9mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Infineon 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  数字晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 数字晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Infineon 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Infineon 最大发射极-基极电压 5 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Infineon 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 200 mW  Infineon 最大功率耗散 200 mW  数字晶体管 最大功率耗散 200 mW  Infineon 数字晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 70  Infineon 最小直流电流增益 70  数字晶体管 最小直流电流增益 70  Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 70  

• BCR116 NPN Silicon Digital Transistor