BCR 116 E6327,110-7748,Infineon BCR 116 E6327 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon BCR 116 E6327 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
BCR 116 E6327
库存编号：
110-7748
Infineon BCR 116 E6327
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BCR 116 E6327产品详细信息

双电阻器数字晶体管，Infineon

Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。

BCR 116 E6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 0.9mm  
  典型电阻比  0.1  
  典型输入电阻器  4.7 kΩ  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.9mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.3 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  100 mA  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  70  
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BCR 116 E6327相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  数字晶体管 长度 2.9mm  Infineon 数字晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   典型电阻比 0.1  Infineon 典型电阻比 0.1  数字晶体管 典型电阻比 0.1  Infineon 数字晶体管 典型电阻比 0.1   典型输入电阻器 4.7 kΩ  Infineon 典型输入电阻器 4.7 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ  Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  数字晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon 数字晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  数字晶体管 高度 0.9mm  Infineon 数字晶体管 高度 0.9mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Infineon 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  数字晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 数字晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Infineon 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Infineon 最大发射极-基极电压 5 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Infineon 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 200 mW  Infineon 最大功率耗散 200 mW  数字晶体管 最大功率耗散 200 mW  Infineon 数字晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 70  Infineon 最小直流电流增益 70  数字晶体管 最小直流电流增益 70  Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 70  
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型号 制造商 描述 操作
BCR116E6327HTSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BCR116E6327HTSA1
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TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

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BCR 116 E6327
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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BCR 116 E6327)

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BCR116E6327HTSA1)

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BCR116E6327HTSA1
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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INFINEON		NPN DIGI-TRANS.4,7K/47K SOT23
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Infineon Technologies - BCR116E6327HTSA1 - TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BCR116E6327HTSA1
仓库库存编号：BCR116E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 116 E6327CT <br>BCR 116 E6327CT-ND <br>

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Infineon - BCR 116 E6327 - Infineon BCR 116 E6327 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
BCR 116 E6327
品牌：
Infineon
库存编号：
110-7748
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QQ:800152669

BCR 116 E6327产品技术参数资料

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