PMD9001D,115,509-790,NXP PMD9001D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装 ,NXP
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PMD9001D,115
NXP PMD9001D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号:
PMD9001D,115
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
509-790
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMD9001D,115产品详细信息
复杂数字晶体管,Nexperia
PMD9001D,115产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
2.2 kΩ
封装类型
TSOP
高度
1mm
晶体管类型
NPN
宽度
1.7mm
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
10 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.15 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
30
关键词
PMD9001D,115相关搜索
安装类型 表面贴装
NXP 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 3.1mm
NXP 长度 3.1mm
数字晶体管 长度 3.1mm
NXP 数字晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
NXP 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
数字晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
NXP 数字晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
典型电阻比 1
NXP 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
NXP 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 2.2 kΩ
NXP 典型输入电阻器 2.2 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
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封装类型 TSOP
NXP 封装类型 TSOP
数字晶体管 封装类型 TSOP
NXP 数字晶体管 封装类型 TSOP
高度 1mm
NXP 高度 1mm
数字晶体管 高度 1mm
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晶体管类型 NPN
NXP 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
NXP 数字晶体管 晶体管类型 NPN
宽度 1.7mm
NXP 宽度 1.7mm
数字晶体管 宽度 1.7mm
NXP 数字晶体管 宽度 1.7mm
引脚数目 6
NXP 引脚数目 6
数字晶体管 引脚数目 6
NXP 数字晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 10 V
NXP 最大发射极-基极电压 10 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
NXP 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
NXP 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V
最大集电极-发射极电压 50 V
NXP 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大连续集电极电流 100 mA
NXP 最大连续集电极电流 100 mA
数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
NXP 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
最低工作温度 -65 °C
NXP 最低工作温度 -65 °C
数字晶体管 最低工作温度 -65 °C
NXP 数字晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
NXP 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 30
NXP 最小直流电流增益 30
数字晶体管 最小直流电流增益 30
NXP 数字晶体管 最小直流电流增益 30
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PMD9001D,115产品技术参数资料
Mosfet Driver,45V,PMD9001D
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