PDTD123ET,508-535,NXP PDTD123ET NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装 ,Nexperia
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PDTD123ET
NXP PDTD123ET NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
制造商零件编号:
PDTD123ET
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
508-535
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PDTD123ET产品详细信息
双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia
PDTD123ET产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
2.2 kΩ
封装类型
TO-236AB
高度
1mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
10 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.3 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
500 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
40
关键词
PDTD123ET相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
Nexperia 长度 3mm
数字晶体管 长度 3mm
Nexperia 数字晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1mm
Nexperia 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
数字晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
Nexperia 数字晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
典型电阻比 1
Nexperia 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
Nexperia 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 2.2 kΩ
Nexperia 典型输入电阻器 2.2 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
Nexperia 数字晶体管 典型输入电阻器 2.2 kΩ
封装类型 TO-236AB
Nexperia 封装类型 TO-236AB
数字晶体管 封装类型 TO-236AB
Nexperia 数字晶体管 封装类型 TO-236AB
高度 1mm
Nexperia 高度 1mm
数字晶体管 高度 1mm
Nexperia 数字晶体管 高度 1mm
晶体管类型 NPN
Nexperia 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
Nexperia 数字晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
Nexperia 数字晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
Nexperia 宽度 1.4mm
数字晶体管 宽度 1.4mm
Nexperia 数字晶体管 宽度 1.4mm
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
Nexperia 数字晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 10 V
Nexperia 最大发射极-基极电压 10 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
Nexperia 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V
Nexperia 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V
Nexperia 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V
最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 500 mA
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Nexperia 最低工作温度 -65 °C
数字晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 40
Nexperia 最小直流电流增益 40
数字晶体管 最小直流电流增益 40
Nexperia 数字晶体管 最小直流电流增益 40
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PDTD123ET产品技术参数资料
NPN Transistor,500mA,PDTD123ET
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