BCR135,287-695,Infineon BCR135 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon BCR135 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
BCR135
库存编号：
287-695
Infineon BCR135
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BCR135产品详细信息

双电阻器数字晶体管，Infineon

Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。

BCR135产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 1mm  
  典型电阻比  0.21  
  典型输入电阻器  10 kΩ  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.3 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  100 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  70  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  数字晶体管 长度 2.9mm  Infineon 数字晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm  数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm  Infineon 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm   典型电阻比 0.21  Infineon 典型电阻比 0.21  数字晶体管 典型电阻比 0.21  Infineon 数字晶体管 典型电阻比 0.21   典型输入电阻器 10 kΩ  Infineon 典型输入电阻器 10 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ  Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  数字晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon 数字晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1mm  Infineon 高度 1mm  数字晶体管 高度 1mm  Infineon 数字晶体管 高度 1mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Infineon 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  数字晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 数字晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Infineon 数字晶体管 引脚数目 3   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  Infineon 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最低工作温度 -65 °C  Infineon 最低工作温度 -65 °C  数字晶体管 最低工作温度 -65 °C  Infineon 数字晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 70  Infineon 最小直流电流增益 70  数字晶体管 最小直流电流增益 70  Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 70  
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TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

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TRANS PREBIAS PNP SOT23

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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

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Transistor Marking: WJs Housing type: SOT-23 Polarity: NPN Collector-emitter voltage: 50 V Power dissipation: 200 mW

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Transistor: NPN x2, bipolar, BRT, 50V, 100mA, 250mW, SOT363, R1:10kΩ

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Transistor: NPN, bipolar, BRT, 50V, 100mA, 250mW, SOT323, R1:10kΩ

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100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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无图BCR 135
Infineon		晶体管阵列，NPN，10K，47K，50V，SOT363
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BCR 135 B6327|Infineon TechnologiesBCR 135 B6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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INFINEON		NPN DIGIT-TR.10K/47K 50V...
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BCR 135 E6433|Infineon TechnologiesBCR 135 E6433
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - BCR135 - Infineon BCR135 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
BCR135
品牌：
Infineon
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Infineon - BCR135E6433 - Infineon BCR135E6433 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
BCR135E6433
品牌：
Infineon
库存编号：
857-8277
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Infineon - BCR 135W - Infineon BCR 135W NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-323封装
制造商零件编号：
BCR 135W
品牌：
Infineon
库存编号：
752-7997
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BCR 135 B6327|Infineon TechnologiesBCR 135 B6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 135 E6327|Infineon TechnologiesBCR 135 E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 135 E6433|Infineon TechnologiesBCR 135 E6433
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 135F E6327|Infineon TechnologiesBCR 135F E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
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BCR 135L3 E6327|Infineon TechnologiesBCR 135L3 E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3
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BCR 135S E6327|Infineon TechnologiesBCR 135S E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363
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BCR 135S H6327|Infineon TechnologiesBCR 135S H6327
Infineon Technologies		TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363
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BCR 135S H6827|Infineon TechnologiesBCR 135S H6827
Infineon Technologies		TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363
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无图BCR 135T E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75
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无图BCR 135
Infineon		晶体管阵列，NPN，10K，47K，50V，SOT363
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BCR 135 B6327|Infineon TechnologiesBCR 135 B6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 135 E6327|Infineon TechnologiesBCR 135 E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 135 E6433|Infineon TechnologiesBCR 135 E6433
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
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BCR 135F E6327|Infineon TechnologiesBCR 135F E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
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无图BCR135FE6327
Infineon Technologies		开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN Silicon Digital Transistor
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BCR 135L3 E6327|Infineon TechnologiesBCR 135L3 E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3
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BCR 135S E6327|Infineon TechnologiesBCR 135S E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363
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BCR 135S H6327|Infineon TechnologiesBCR 135S H6327
Infineon Technologies		TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363
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Infineon - BCR135 - Transistor SOT-23 NPN PU=Reel of 3000 pieces, BCR135, Infineon		Infineon
Transistor SOT-23 NPN PU=Reel of 3000 pieces, BCR135, Infineon

型号：BCR135
仓库库存编号：171-00-042

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Infineon - BCR135 - Transistor SOT-23 NPN, BCR135, Infineon		Infineon
Transistor SOT-23 NPN, BCR135, Infineon

型号：BCR135
仓库库存编号：171-31-169

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Infineon Technologies - BCR 135 B6327 - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BCR 135 B6327
仓库库存编号：BCR 135 B6327-ND
别名：BCR135B6327XT <br>SP000095915 <br>

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Infineon Technologies - BCR135E6327HTSA1 - TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BCR135E6327HTSA1
仓库库存编号：BCR135E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 135 E6327CT <br>BCR 135 E6327CT-ND <br>

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Infineon Technologies - BCR135E6359HTMA1 - TRANS PREBIAS PNP SOT23		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：BCR135E6359HTMA1-ND
别名：SP000010766 <br>

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Infineon Technologies - BCR 135F E6327 - TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3

型号：BCR 135F E6327
仓库库存编号：BCR 135F E6327-ND
别名：BCR135FE6327XT <br>SP000013048 <br>

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Infineon Technologies - BCR 135L3 E6327 - TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3

型号：BCR 135L3 E6327
仓库库存编号：BCR 135L3 E6327-ND
别名：BCR135L3E6327XT <br>SP000014856 <br>

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Infineon Technologies - BCR135SE6327BTSA1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363		Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6

型号：BCR135SE6327BTSA1
仓库库存编号：BCR135SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 135S E6327 <br>BCR 135S E6327-ND <br>BCR135SE6327XT <br>SP000012335 <br>

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Infineon Technologies - BCR135SH6327XTSA1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363		Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6

型号：BCR135SH6327XTSA1
仓库库存编号：BCR135SH6327XTSA1CT-ND
别名：BCR 135S H6327CT <br>BCR 135S H6327CT-ND <br>BCR135SH6327XTSA1CT <br>

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Infineon Technologies - BCR 135T E6327 - TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75

型号：BCR 135T E6327
仓库库存编号：BCR 135T E6327-ND
别名：BCR135TE6327XT <br>SP000012802 <br> 		无铅搜索

Infineon Technologies - BCR135WE6327BTSA1 - TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3

型号：BCR135WE6327BTSA1
仓库库存编号：BCR135WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 135W E6327 <br>BCR 135W E6327-ND <br>BCR135WE6327 <br>BCR135WE6327XT <br>SP000010768 <br>

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QQ:800152669

BCR135产品技术参数资料

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