MT47H64M16HR-3:H,708-1116,MT47H64M16HR-3:H 1Gbit 667MHz DDR2 SDRAM 存储器, 64M x 16 位, 0.45ns, 1.7 V - 1.9 V, 84针 FBGA封装 ,Micron
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MT47H64M16HR-3:H
MT47H64M16HR-3:H 1Gbit 667MHz DDR2 SDRAM 存储器, 64M x 16 位, 0.45ns, 1.7 V - 1.9 V, 84针 FBGA封装
制造商零件编号:
MT47H64M16HR-3:H
制造商:
Micron
Micron
库存编号:
708-1116
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MT47H64M16HR-3:H产品详细信息
动态 RAM,Micron Technology
MT47H64M16HR-3:H产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
12.5mm
尺寸
12.5 x 8 x 0.8mm
存储器大小
1Gbit
封装类型
FBGA
高度
0.8mm
宽度
8mm
每字组的位元数目
16Bit
数据速率
667MHz
数据总线宽度
16Bit
位址总线宽
16Bit
引脚数目
84
字组数目
8M
组织
64M x 16 位
最长随机存取时间
0.45ns
最大工作电源电压
1.9 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
1.7 V
关键词
MT47H64M16HR-3:H相关搜索
安装类型 表面贴装
Micron 安装类型 表面贴装
DDR2 SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 12.5mm
Micron 长度 12.5mm
DDR2 SDRAM 存储器芯片 长度 12.5mm
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 长度 12.5mm
尺寸 12.5 x 8 x 0.8mm
Micron 尺寸 12.5 x 8 x 0.8mm
DDR2 SDRAM 存储器芯片 尺寸 12.5 x 8 x 0.8mm
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 尺寸 12.5 x 8 x 0.8mm
存储器大小 1Gbit
Micron 存储器大小 1Gbit
DDR2 SDRAM 存储器芯片 存储器大小 1Gbit
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 存储器大小 1Gbit
封装类型 FBGA
Micron 封装类型 FBGA
DDR2 SDRAM 存储器芯片 封装类型 FBGA
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 封装类型 FBGA
高度 0.8mm
Micron 高度 0.8mm
DDR2 SDRAM 存储器芯片 高度 0.8mm
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 高度 0.8mm
宽度 8mm
Micron 宽度 8mm
DDR2 SDRAM 存储器芯片 宽度 8mm
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 宽度 8mm
每字组的位元数目 16Bit
Micron 每字组的位元数目 16Bit
DDR2 SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
数据速率 667MHz
Micron 数据速率 667MHz
DDR2 SDRAM 存储器芯片 数据速率 667MHz
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 数据速率 667MHz
数据总线宽度 16Bit
Micron 数据总线宽度 16Bit
DDR2 SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
位址总线宽 16Bit
Micron 位址总线宽 16Bit
DDR2 SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit
引脚数目 84
Micron 引脚数目 84
DDR2 SDRAM 存储器芯片 引脚数目 84
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 引脚数目 84
字组数目 8M
Micron 字组数目 8M
DDR2 SDRAM 存储器芯片 字组数目 8M
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 字组数目 8M
组织 64M x 16 位
Micron 组织 64M x 16 位
DDR2 SDRAM 存储器芯片 组织 64M x 16 位
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 组织 64M x 16 位
最长随机存取时间 0.45ns
Micron 最长随机存取时间 0.45ns
DDR2 SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 0.45ns
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 0.45ns
最大工作电源电压 1.9 V
Micron 最大工作电源电压 1.9 V
DDR2 SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 1.9 V
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 1.9 V
最低工作温度 0 °C
Micron 最低工作温度 0 °C
DDR2 SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
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最高工作温度 +85 °C
Micron 最高工作温度 +85 °C
DDR2 SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 1.7 V
Micron 最小工作电源电压 1.7 V
DDR2 SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.7 V
Micron DDR2 SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.7 V
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MT47H64M16HR-3:H产品技术参数资料
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