AS4C8M16D1-5TCN,797-5835,AS4C8M16D1-5TCN 128Mbit 400MBps DDR SDRAM 芯片, 8M x 16 位, 0.7ns, 2.375 → 2.625 V, 66针 TSOP封装 ,Alliance Memory
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AS4C8M16D1-5TCN
AS4C8M16D1-5TCN 128Mbit 400MBps DDR SDRAM 芯片, 8M x 16 位, 0.7ns, 2.375 → 2.625 V, 66针 TSOP封装
制造商零件编号:
AS4C8M16D1-5TCN
制造商:
Alliance Memory
Alliance Memory
库存编号:
797-5835
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AS4C8M16D1-5TCN产品详细信息
双倍数据速率 (DDR1) 动态 RAM,Alliance Memory
高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM。
AS4C8M16D1-5TCN产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
22.35mm
尺寸
22.35 x 10.29 x 1.1mm
存储器大小
128Mbit
封装类型
TSOP
高度
1.1mm
宽度
10.29mm
每字组的位元数目
16Bit
数据速率
400Mbps
数据总线宽度
16Bit
引脚数目
66
字组数目
2M
组织
8M x 16 位
最长随机存取时间
0.7ns
最大工作电源电压
2.625 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.375 V
关键词
AS4C8M16D1-5TCN相关搜索
安装类型 表面贴装
Alliance Memory 安装类型 表面贴装
DDR SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 22.35mm
Alliance Memory 长度 22.35mm
DDR SDRAM 存储器芯片 长度 22.35mm
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 长度 22.35mm
尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
Alliance Memory 尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
DDR SDRAM 存储器芯片 尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
存储器大小 128Mbit
Alliance Memory 存储器大小 128Mbit
DDR SDRAM 存储器芯片 存储器大小 128Mbit
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 存储器大小 128Mbit
封装类型 TSOP
Alliance Memory 封装类型 TSOP
DDR SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.1mm
Alliance Memory 高度 1.1mm
DDR SDRAM 存储器芯片 高度 1.1mm
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 高度 1.1mm
宽度 10.29mm
Alliance Memory 宽度 10.29mm
DDR SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
每字组的位元数目 16Bit
Alliance Memory 每字组的位元数目 16Bit
DDR SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
数据速率 400Mbps
Alliance Memory 数据速率 400Mbps
DDR SDRAM 存储器芯片 数据速率 400Mbps
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 数据速率 400Mbps
数据总线宽度 16Bit
Alliance Memory 数据总线宽度 16Bit
DDR SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
引脚数目 66
Alliance Memory 引脚数目 66
DDR SDRAM 存储器芯片 引脚数目 66
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 引脚数目 66
字组数目 2M
Alliance Memory 字组数目 2M
DDR SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M
组织 8M x 16 位
Alliance Memory 组织 8M x 16 位
DDR SDRAM 存储器芯片 组织 8M x 16 位
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 组织 8M x 16 位
最长随机存取时间 0.7ns
Alliance Memory 最长随机存取时间 0.7ns
DDR SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 0.7ns
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 0.7ns
最大工作电源电压 2.625 V
Alliance Memory 最大工作电源电压 2.625 V
DDR SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 2.625 V
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 2.625 V
最低工作温度 -40 °C
Alliance Memory 最低工作温度 -40 °C
DDR SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Alliance Memory 最高工作温度 +85 °C
DDR SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.375 V
Alliance Memory 最小工作电源电压 2.375 V
DDR SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.375 V
Alliance Memory DDR SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.375 V
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AS4C8M16D1-5TCN产品技术参数资料
AS4C8M16D1, 8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM) Data Sheet
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