MT46V32M16BN-6,138-770,MT46V32M16BN-6 512Mbit 333MHz DDR SDRAM 芯片, 32M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 60针 FBGA封装 ,Micron
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MT46V32M16BN-6
MT46V32M16BN-6 512Mbit 333MHz DDR SDRAM 芯片, 32M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 60针 FBGA封装
制造商零件编号:
MT46V32M16BN-6
制造商:
Micron
Micron
库存编号:
138-770
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MT46V32M16BN-6产品详细信息
动态 RAM,Micron Technology
MT46V32M16BN-6产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
12.5mm
尺寸
12.5 x 10 x 0.85mm
存储器大小
512Mbit
封装类型
FBGA
高度
0.85mm
宽度
10mm
每字组的位元数目
16Bit
数据速率
333MHz
数据总线宽度
16Bit
位址总线宽
15Bit
引脚数目
60
字组数目
8M
组织
32M x 16 位
最长随机存取时间
0.7ns
最大工作电源电压
2.7 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
2.3 V
关键词
MT46V32M16BN-6相关搜索
安装类型 表面贴装
Micron 安装类型 表面贴装
DDR SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 12.5mm
Micron 长度 12.5mm
DDR SDRAM 存储器芯片 长度 12.5mm
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 长度 12.5mm
尺寸 12.5 x 10 x 0.85mm
Micron 尺寸 12.5 x 10 x 0.85mm
DDR SDRAM 存储器芯片 尺寸 12.5 x 10 x 0.85mm
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 尺寸 12.5 x 10 x 0.85mm
存储器大小 512Mbit
Micron 存储器大小 512Mbit
DDR SDRAM 存储器芯片 存储器大小 512Mbit
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 存储器大小 512Mbit
封装类型 FBGA
Micron 封装类型 FBGA
DDR SDRAM 存储器芯片 封装类型 FBGA
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 封装类型 FBGA
高度 0.85mm
Micron 高度 0.85mm
DDR SDRAM 存储器芯片 高度 0.85mm
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 高度 0.85mm
宽度 10mm
Micron 宽度 10mm
DDR SDRAM 存储器芯片 宽度 10mm
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 宽度 10mm
每字组的位元数目 16Bit
Micron 每字组的位元数目 16Bit
DDR SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
数据速率 333MHz
Micron 数据速率 333MHz
DDR SDRAM 存储器芯片 数据速率 333MHz
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 数据速率 333MHz
数据总线宽度 16Bit
Micron 数据总线宽度 16Bit
DDR SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
位址总线宽 15Bit
Micron 位址总线宽 15Bit
DDR SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
引脚数目 60
Micron 引脚数目 60
DDR SDRAM 存储器芯片 引脚数目 60
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 引脚数目 60
字组数目 8M
Micron 字组数目 8M
DDR SDRAM 存储器芯片 字组数目 8M
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 字组数目 8M
组织 32M x 16 位
Micron 组织 32M x 16 位
DDR SDRAM 存储器芯片 组织 32M x 16 位
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 组织 32M x 16 位
最长随机存取时间 0.7ns
Micron 最长随机存取时间 0.7ns
DDR SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 0.7ns
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 0.7ns
最大工作电源电压 2.7 V
Micron 最大工作电源电压 2.7 V
DDR SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 2.7 V
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 2.7 V
最低工作温度 0 °C
Micron 最低工作温度 0 °C
DDR SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
Micron 最高工作温度 +70 °C
DDR SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 2.3 V
Micron 最小工作电源电压 2.3 V
DDR SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.3 V
Micron DDR SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.3 V
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MT46V32M16BN-6产品技术参数资料
Double Data Rate (DDR) SDRAM, MT46V128M4 (32M), MT46V64M8 (16M), MT46V32M16 (8M)
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