ULN2801A,917-3374,STMicroelectronics ULN2801A 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 18引脚 DIP封装 ,STMicroelectronics
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ULN2801A
STMicroelectronics ULN2801A 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 18引脚 DIP封装
制造商零件编号:
ULN2801A
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
917-3374
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ULN2801A产品技术参数
安装类型
通孔
长度
23.24mm
尺寸
23.24 x 7.1 x 3.676mm
封装类型
DIP
高度
3.676mm
基电流
25mA
晶体管配置
共发射极
宽度
7.1mm
每片芯片元件数目
8
引脚数目
18
最大功率耗散
2.25 W
最大集电极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
500 mA
最低工作温度
-20 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
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安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
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长度 23.24mm
STMicroelectronics 长度 23.24mm
达林顿晶体管 长度 23.24mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 23.24mm
尺寸 23.24 x 7.1 x 3.676mm
STMicroelectronics 尺寸 23.24 x 7.1 x 3.676mm
达林顿晶体管 尺寸 23.24 x 7.1 x 3.676mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 23.24 x 7.1 x 3.676mm
封装类型 DIP
STMicroelectronics 封装类型 DIP
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高度 3.676mm
STMicroelectronics 高度 3.676mm
达林顿晶体管 高度 3.676mm
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基电流 25mA
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达林顿晶体管 基电流 25mA
STMicroelectronics 达林顿晶体管 基电流 25mA
晶体管配置 共发射极
STMicroelectronics 晶体管配置 共发射极
达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
宽度 7.1mm
STMicroelectronics 宽度 7.1mm
达林顿晶体管 宽度 7.1mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 7.1mm
每片芯片元件数目 8
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 8
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 8
STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 8
引脚数目 18
STMicroelectronics 引脚数目 18
达林顿晶体管 引脚数目 18
STMicroelectronics 达林顿晶体管 引脚数目 18
最大功率耗散 2.25 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 2.25 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 2.25 W
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大功率耗散 2.25 W
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
最大集电极-发射极电压 50 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 500 mA
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达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
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最低工作温度 -20 °C
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 1000
STMicroelectronics 最小直流电流增益 1000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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ULN2801A产品技术参数资料
ULN2801A, ULN2802A, ULN2803A, ULN2804A, Eight Darlington Array
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