关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.7 x 16.3mm
封装类型	TO-220
高度	16.3mm
基电流	120mA
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.7mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	65 W
最大集电极-发射极饱和电压	4 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	100 V
最大集电极-基极截止电流	0.5mA
最大连续集电极电流	5 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	1000
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  达林顿晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  达林顿晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  达林顿晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm   封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220  达林顿晶体管 封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220   高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.3mm  达林顿晶体管 高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 高度 16.3mm   基电流 120mA  Fairchild Semiconductor 基电流 120mA  达林顿晶体管 基电流 120mA  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 基电流 120mA   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  达林顿晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  达林顿晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  达林顿晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.7mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  达林顿晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 65 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 65 W  达林顿晶体管 最大功率耗散 65 W  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 65 W   最大集电极-发射极饱和电压 4 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V   最大集电极-发射极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V   最大集电极-基极截止电流 0.5mA  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 0.5mA  达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.5mA  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.5mA   最大连续集电极电流 5 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 5 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 5 A  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 5 A   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 1000  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 1000  达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000  

• Datasheet