STP03D200,877-2946,STMicroelectronics STP03D200 NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=1200 V, HFE=230 @ 20 mA @ 10 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STP03D200
STMicroelectronics STP03D200 NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=1200 V, HFE=230 @ 20 mA @ 10 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
STP03D200
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
877-2946
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP03D200产品详细信息
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics
STP03D200产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 15.75mm
封装类型
TO-220
高度
15.75mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
20 V
最大功率耗散
40 W
最大基极-发射极饱和电压
2 V
最大集电极-发射极饱和电压
2 V
最大集电极-发射极电压
1200 V
最大集电极-基极电压
2000 V
最大集电极-基极截止电流
100μA
最大连续集电极电流
100 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
230 @ 20 mA @ 10 V
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安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
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长度 10.4mm
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达林顿晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
达林顿晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
达林顿晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics 达林顿晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.75mm
STMicroelectronics 高度 15.75mm
达林顿晶体管 高度 15.75mm
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晶体管类型 NPN
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达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
达林顿晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 4.6mm
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 20 V
STMicroelectronics 最大发射极-基极电压 20 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 20 V
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最大功率耗散 40 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 40 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 40 W
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最大基极-发射极饱和电压 2 V
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最大集电极-发射极饱和电压 2 V
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最大集电极-发射极电压 1200 V
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最大集电极-基极电压 2000 V
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最大连续集电极电流 100 mA
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STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 230 @ 20 mA @ 10 V
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STP03D200产品技术参数资料
STP03D200, 2kV NPN Darlington Transistor
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