BCV46,865-2090,NXP BCV46 PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-60 V, HFE=2000, 3引脚 TO-236AB封装 ,Nexperia
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BCV46
NXP BCV46 PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-60 V, HFE=2000, 3引脚 TO-236AB封装
制造商零件编号:
BCV46
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
865-2090
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BCV46产品详细信息
复合晶体管,Nexperia
BCV46产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
封装类型
TO-236AB
高度
1mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-10 V
最大功率耗散
250 mW
最大基极-发射极饱和电压
-1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
-1 V
最大集电极-发射极电压
-60 V
最大集电极-基极电压
-80 V
最大集电极-基极截止电流
-100nA
最大连续集电极电流
-500 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
2000
关键词
BCV46相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
Nexperia 长度 3mm
达林顿晶体管 长度 3mm
Nexperia 达林顿晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1mm
Nexperia 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
达林顿晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
Nexperia 达林顿晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
封装类型 TO-236AB
Nexperia 封装类型 TO-236AB
达林顿晶体管 封装类型 TO-236AB
Nexperia 达林顿晶体管 封装类型 TO-236AB
高度 1mm
Nexperia 高度 1mm
达林顿晶体管 高度 1mm
Nexperia 达林顿晶体管 高度 1mm
晶体管类型 PNP
Nexperia 晶体管类型 PNP
达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
Nexperia 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
Nexperia 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
Nexperia 宽度 1.4mm
达林顿晶体管 宽度 1.4mm
Nexperia 达林顿晶体管 宽度 1.4mm
每片芯片元件数目 2
Nexperia 每片芯片元件数目 2
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
Nexperia 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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Nexperia 最大发射极-基极电压 -10 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V
Nexperia 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V
最大功率耗散 250 mW
Nexperia 最大功率耗散 250 mW
达林顿晶体管 最大功率耗散 250 mW
Nexperia 达林顿晶体管 最大功率耗散 250 mW
最大基极-发射极饱和电压 -1.5 V
Nexperia 最大基极-发射极饱和电压 -1.5 V
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最大集电极-发射极饱和电压 -1 V
Nexperia 最大集电极-发射极饱和电压 -1 V
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最大集电极-基极电压 -80 V
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最大集电极-基极截止电流 -100nA
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最大连续集电极电流 -500 mA
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达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 2000
Nexperia 最小直流电流增益 2000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 2000
Nexperia 达林顿晶体管 最小直流电流增益 2000
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BCV46产品技术参数资料
BCV26; BCV46, PNP Darlington Transistors
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