MJ11021G,862-4963,ON Semiconductor MJ11021G PNP 达林顿晶体管对, -30 A, Vce=-250 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装 ,ON Semiconductor
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
达林顿晶体管
>
MJ11021G
ON Semiconductor MJ11021G PNP 达林顿晶体管对, -30 A, Vce=-250 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装
制造商零件编号：
MJ11021G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
862-4963
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MJ11021G产品技术参数
安装类型
通孔
尺寸
21.08 (Dia.) x 8.51mm
封装类型
TO-204
高度
8.51mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
每片芯片元件数目
2
引脚数目
2
最大发射极-基极电压
-50 V
最大功率耗散
175 W
最大基极-发射极饱和电压
-3.8 V
最大集电极-发射极饱和电压
-3.4 V
最大集电极-发射极电压
-250 V
最大集电极-基极电压
-250 V
最大连续集电极电流
-30 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
200°C
最小直流电流增益
100
关键词
MJ11021G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
ON Semiconductor 尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
达林顿晶体管 尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
封装类型 TO-204
ON Semiconductor 封装类型 TO-204
达林顿晶体管 封装类型 TO-204
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-204
高度 8.51mm
ON Semiconductor 高度 8.51mm
达林顿晶体管 高度 8.51mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 8.51mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 2
ON Semiconductor 引脚数目 2
达林顿晶体管 引脚数目 2
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 2
最大发射极-基极电压 -50 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 -50 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -50 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -50 V
最大功率耗散 175 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 175 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 175 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 175 W
最大基极-发射极饱和电压 -3.8 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -3.8 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -3.8 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -3.8 V
最大集电极-发射极饱和电压 -3.4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -3.4 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -3.4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -3.4 V
最大集电极-发射极电压 -250 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 -250 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 -250 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 -250 V
最大集电极-基极电压 -250 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 -250 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 -250 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 -250 V
最大连续集电极电流 -30 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 -30 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 -30 A
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 -30 A
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 200°C
ON Semiconductor 最高工作温度 200°C
达林顿晶体管 最高工作温度 200°C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 200°C
最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 最小直流电流增益 100
达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
MJ11021G产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
