MJ11012G,862-4954,ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装 ,ON Semiconductor
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MJ11012G
ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装
制造商零件编号：
MJ11012G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
862-4954
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MJ11012G产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
MJ11012G产品技术参数
安装类型
通孔
尺寸
21.08 (Dia.) x 8.51mm
封装类型
TO-204AA
高度
8.51mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
每片芯片元件数目
2
引脚数目
2
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
200 W
最大基极-发射极饱和电压
5 V
最大集电极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
60 V
最大连续集电极电流
30 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+200 °C
最小直流电流增益
200
关键词
MJ11012G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
ON Semiconductor 尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
达林顿晶体管 尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm
封装类型 TO-204AA
ON Semiconductor 封装类型 TO-204AA
达林顿晶体管 封装类型 TO-204AA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-204AA
高度 8.51mm
ON Semiconductor 高度 8.51mm
达林顿晶体管 高度 8.51mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 8.51mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 2
ON Semiconductor 引脚数目 2
达林顿晶体管 引脚数目 2
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 2
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 200 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 200 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 200 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 200 W
最大基极-发射极饱和电压 5 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 5 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 60 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 60 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 60 V
最大连续集电极电流 30 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 30 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 30 A
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 30 A
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +200 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +200 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +200 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +200 °C
最小直流电流增益 200
ON Semiconductor 最小直流电流增益 200
达林顿晶体管 最小直流电流增益 200
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 200
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MJ11012G产品技术参数资料
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