BCV47E6433,857-8374,Infineon BCV47E6433 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装 ,Nexperia
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BCV47E6433
Infineon BCV47E6433 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BCV47E6433
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
857-8374
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BCV47E6433产品详细信息
复合晶体管,Infineon
BCV47E6433产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型
SOT-23
高度
0.9mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
10 V
最大功率耗散
360 mW
最大基极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
1 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
80 V
最大集电极-基极截止电流
10μA
最大连续集电极电流
500 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
2000
关键词
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安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.9mm
Nexperia 长度 2.9mm
达林顿晶体管 长度 2.9mm
Nexperia 达林顿晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Nexperia 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
达林顿晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Nexperia 达林顿晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型 SOT-23
Nexperia 封装类型 SOT-23
达林顿晶体管 封装类型 SOT-23
Nexperia 达林顿晶体管 封装类型 SOT-23
高度 0.9mm
Nexperia 高度 0.9mm
达林顿晶体管 高度 0.9mm
Nexperia 达林顿晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 NPN
Nexperia 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
Nexperia 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
Nexperia 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.3mm
Nexperia 宽度 1.3mm
达林顿晶体管 宽度 1.3mm
Nexperia 达林顿晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
Nexperia 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 10 V
Nexperia 最大发射极-基极电压 10 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
Nexperia 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
最大功率耗散 360 mW
Nexperia 最大功率耗散 360 mW
达林顿晶体管 最大功率耗散 360 mW
Nexperia 达林顿晶体管 最大功率耗散 360 mW
最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
Nexperia 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
Nexperia 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压 1 V
Nexperia 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
Nexperia 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
最大集电极-发射极电压 60 V
Nexperia 最大集电极-发射极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
Nexperia 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 80 V
Nexperia 最大集电极-基极电压 80 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 80 V
Nexperia 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 80 V
最大集电极-基极截止电流 10μA
Nexperia 最大集电极-基极截止电流 10μA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 10μA
Nexperia 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 10μA
最大连续集电极电流 500 mA
Nexperia 最大连续集电极电流 500 mA
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
Nexperia 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 2000
Nexperia 最小直流电流增益 2000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 2000
Nexperia 达林顿晶体管 最小直流电流增益 2000
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BCV47E6433产品技术参数资料
BCV27& BCV47 NPN Darlington Transistor
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