2SD1383KT146B,826-8434,ROHM 2SD1383KT146B NPN 达林顿晶体管, 0.3 A, Vce=32 V, HFE=5000, 3引脚 表面安装封装 ,ROHM
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2SD1383KT146B
ROHM 2SD1383KT146B NPN 达林顿晶体管, 0.3 A, Vce=32 V, HFE=5000, 3引脚 表面安装封装
制造商零件编号:
2SD1383KT146B
制造商:
ROHM
ROHM
库存编号:
826-8434
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SD1383KT146B产品详细信息
复合晶体管,ROHM
2SD1383KT146B产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.6 x 1.1mm
封装类型
表面安装
高度
1.1mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.6mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
200 mW
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
32 V
最大集电极-基极电压
40 V
最大集电极-基极截止电流
1μA
最大连续集电极电流
0.3 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
5000
关键词
2SD1383KT146B相关搜索
安装类型 表面贴装
ROHM 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.9mm
ROHM 长度 2.9mm
达林顿晶体管 长度 2.9mm
ROHM 达林顿晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
ROHM 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
达林顿晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
ROHM 达林顿晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
封装类型 表面安装
ROHM 封装类型 表面安装
达林顿晶体管 封装类型 表面安装
ROHM 达林顿晶体管 封装类型 表面安装
高度 1.1mm
ROHM 高度 1.1mm
达林顿晶体管 高度 1.1mm
ROHM 达林顿晶体管 高度 1.1mm
晶体管类型 NPN
ROHM 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ROHM 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ROHM 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
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宽度 1.6mm
ROHM 宽度 1.6mm
达林顿晶体管 宽度 1.6mm
ROHM 达林顿晶体管 宽度 1.6mm
每片芯片元件数目 1
ROHM 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ROHM 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ROHM 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 6 V
ROHM 最大发射极-基极电压 6 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ROHM 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 200 mW
ROHM 最大功率耗散 200 mW
达林顿晶体管 最大功率耗散 200 mW
ROHM 达林顿晶体管 最大功率耗散 200 mW
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
ROHM 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
ROHM 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极电压 32 V
ROHM 最大集电极-发射极电压 32 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 32 V
ROHM 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 32 V
最大集电极-基极电压 40 V
ROHM 最大集电极-基极电压 40 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 40 V
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最大集电极-基极截止电流 1μA
ROHM 最大集电极-基极截止电流 1μA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 1μA
ROHM 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 1μA
最大连续集电极电流 0.3 A
ROHM 最大连续集电极电流 0.3 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.3 A
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最高工作温度 +150 °C
ROHM 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 5000
ROHM 最小直流电流增益 5000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 5000
ROHM 达林顿晶体管 最小直流电流增益 5000
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2SD1383KT146B产品技术参数资料
2SD1383K 300mA 32V NPN Darlington Transistor
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