ULN2003V12DR,809-5488,Texas Instruments ULN2003V12DR NPN 达林顿晶体管对, 140 mA, Vce=20 V, 16引脚 SOIC封装 ,Texas Instruments
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ULN2003V12DR
Texas Instruments ULN2003V12DR NPN 达林顿晶体管对, 140 mA, Vce=20 V, 16引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
ULN2003V12DR
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
库存编号:
809-5488
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ULN2003V12DR产品详细信息
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
This array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.
ULN2003V12DR产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10mm
尺寸
10 x 4 x 1.5mm
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
共发射极
宽度
4mm
每片芯片元件数目
7
引脚数目
16
最大功率耗散
860 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.75 V
最大集电极-发射极电压
20 V
最大连续集电极电流
140 mA
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
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ULN2003V12DR相关搜索
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达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 10mm
Texas Instruments 长度 10mm
达林顿晶体管 长度 10mm
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尺寸 10 x 4 x 1.5mm
Texas Instruments 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
达林顿晶体管 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
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封装类型 SOIC
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达林顿晶体管 封装类型 SOIC
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高度 1.5mm
Texas Instruments 高度 1.5mm
达林顿晶体管 高度 1.5mm
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晶体管类型 NPN
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达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
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晶体管配置 共发射极
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达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
Texas Instruments 达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
宽度 4mm
Texas Instruments 宽度 4mm
达林顿晶体管 宽度 4mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 宽度 4mm
每片芯片元件数目 7
Texas Instruments 每片芯片元件数目 7
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7
Texas Instruments 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7
引脚数目 16
Texas Instruments 引脚数目 16
达林顿晶体管 引脚数目 16
Texas Instruments 达林顿晶体管 引脚数目 16
最大功率耗散 860 mW
Texas Instruments 最大功率耗散 860 mW
达林顿晶体管 最大功率耗散 860 mW
Texas Instruments 达林顿晶体管 最大功率耗散 860 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.75 V
Texas Instruments 最大集电极-发射极饱和电压 0.75 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.75 V
Texas Instruments 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.75 V
最大集电极-发射极电压 20 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 20 V
Texas Instruments 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 20 V
最大连续集电极电流 140 mA
Texas Instruments 最大连续集电极电流 140 mA
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 140 mA
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最低工作温度 -40 °C
Texas Instruments 最低工作温度 -40 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +125 °C
Texas Instruments 最高工作温度 +125 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +125 °C
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