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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 16.51mm
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
每片芯片元件数目	2
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	50 W
最大集电极-发射极饱和电压	2.5 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	100 V
最大集电极-基极截止电流	2mA
最大连续集电极电流	4 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	500
关键词

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• TIP110/TIP111/TIP112, NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Data Sheet