关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 16.51mm
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
每片芯片元件数目	2
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大功率耗散	80 W
最大集电极-发射极饱和电压	-2 V
最大集电极-发射极电压	-60 V
最大集电极-基极电压	-60 V
最大集电极-基极截止电流	-50μA
最大连续集电极电流	-8 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	200
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  达林顿晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  达林顿晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  达林顿晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm   封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220  达林顿晶体管 封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220   高度 16.51mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.51mm  达林顿晶体管 高度 16.51mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 高度 16.51mm   晶体管类型 PNP  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP  达林顿晶体管 晶体管类型 PNP  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  达林顿晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.83mm  达林顿晶体管 宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.83mm   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  达林顿晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -5 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V  达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V   最大功率耗散 80 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 80 W  达林顿晶体管 最大功率耗散 80 W  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 80 W   最大集电极-发射极饱和电压 -2 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -2 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -2 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -2 V   最大集电极-发射极电压 -60 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 -60 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 -60 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 -60 V   最大集电极-基极电压 -60 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -60 V  达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 -60 V  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 -60 V   最大集电极-基极截止电流 -50μA  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 -50μA  达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 -50μA  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 -50μA   最大连续集电极电流 -8 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 -8 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 -8 A  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 -8 A   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 200  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 200  达林顿晶体管 最小直流电流增益 200  Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 200  

• TIP105/TIP106/TIP107, PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Data Sheet