BDX54CTU,807-5181,Fairchild Semiconductor BDX54CTU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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BDX54CTU
Fairchild Semiconductor BDX54CTU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
BDX54CTU
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5181
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BDX54CTU产品详细信息
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor
BDX54CTU产品技术参数
安装类型
通孔
长度
9.9mm
尺寸
9.9 x 4.5 x 15.95mm
封装类型
TO-220
高度
15.95mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大功率耗散
60 W
最大基极-发射极饱和电压
-2.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
-2 V
最大集电极-发射极电压
-100 V
最大集电极-基极电压
-100 V
最大集电极-基极截止电流
-500 μA, -200 μA
最大连续集电极电流
-8 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
750
关键词
BDX54CTU相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 9.9mm
Fairchild Semiconductor 长度 9.9mm
达林顿晶体管 长度 9.9mm
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 长度 9.9mm
尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm
达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm
封装类型 TO-220
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220
达林顿晶体管 封装类型 TO-220
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.95mm
Fairchild Semiconductor 高度 15.95mm
达林顿晶体管 高度 15.95mm
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 高度 15.95mm
晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP
达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.5mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.5mm
达林顿晶体管 宽度 4.5mm
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.5mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大功率耗散 60 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 60 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 60 W
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 60 W
最大基极-发射极饱和电压 -2.5 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -2.5 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -2.5 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -2.5 V
最大集电极-发射极饱和电压 -2 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -2 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -2 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -2 V
最大集电极-发射极电压 -100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 -100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 -100 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 -100 V
最大集电极-基极电压 -100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V
最大集电极-基极截止电流 -500 μA, -200 μA
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 -500 μA, -200 μA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 -500 μA, -200 μA
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 -500 μA, -200 μA
最大连续集电极电流 -8 A
Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 -8 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 -8 A
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 -8 A
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 750
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 750
达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
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BDX54CTU产品技术参数资料
BDX54/A/B/C, Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications Data Sheet
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