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安装类型	通孔
长度	9.9mm
尺寸	9.9 x 4.5 x 15.95mm
封装类型	TO-220
高度	15.95mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	60 W
最大基极-发射极饱和电压	2.5 V
最大集电极-发射极饱和电压	2 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	100 V
最大集电极-基极截止电流	200 μA, 500 μA
最大连续集电极电流	8 A
最高工作温度	150 °C
最小直流电流增益	750
关键词

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• BDX53/A/B/C, NPN Epitaxial Silicon Transistor Data Sheet