NZT7053,806-1270,Fairchild Semiconductor NZT7053 NPN 达林顿晶体管对, 1.5 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,Fairchild Semiconductor
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NZT7053
Fairchild Semiconductor NZT7053 NPN 达林顿晶体管对, 1.5 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号:
NZT7053
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1270
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NZT7053产品详细信息
复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor
NZT7053产品技术参数
安装类型
表面贴装
封装类型
SOT-223
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3 + Tab
最大发射极-基极电压
12 V
最大功率耗散
1 W
最大基极-发射极饱和电压
2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
0.2μA
最大连续集电极电流
1.5 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
关键词
NZT7053相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
封装类型 SOT-223
Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-223
达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3 + Tab
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3 + Tab
达林顿晶体管 引脚数目 3 + Tab
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3 + Tab
最大发射极-基极电压 12 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 12 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 12 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 12 V
最大功率耗散 1 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 1 W
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 1 W
最大基极-发射极饱和电压 2 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 2 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极电压 100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大集电极-基极截止电流 0.2μA
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 0.2μA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.2μA
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.2μA
最大连续集电极电流 1.5 A
Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 1.5 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 1.5 A
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 1.5 A
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 1000
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 1000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
Fairchild Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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NZT7053产品技术参数资料
2N7051, NPN Darlington Transistor Data Sheet
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