2N6667G,800-9213,ON Semiconductor 2N6667G PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=60 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220AB封装 ,ON Semiconductor
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2N6667G
ON Semiconductor 2N6667G PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=60 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
2N6667G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
800-9213
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2N6667G产品详细信息
PNP 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
2N6667G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.28mm
尺寸
10.28 x 4.82 x 15.75mm
封装类型
TO-220AB
高度
15.75mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
4.82mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
65 W
最大基极-发射极饱和电压
4.5 V 直流
最大集电极-发射极饱和电压
3 V 直流
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
60 V 直流
最大连续集电极电流
10 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 10.28mm
ON Semiconductor 长度 10.28mm
达林顿晶体管 长度 10.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 10.28mm
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm
ON Semiconductor 尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm
达林顿晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm
封装类型 TO-220AB
ON Semiconductor 封装类型 TO-220AB
达林顿晶体管 封装类型 TO-220AB
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220AB
高度 15.75mm
ON Semiconductor 高度 15.75mm
达林顿晶体管 高度 15.75mm
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晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.82mm
ON Semiconductor 宽度 4.82mm
达林顿晶体管 宽度 4.82mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.82mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 65 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 65 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 65 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 65 W
最大基极-发射极饱和电压 4.5 V 直流
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V 直流
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V 直流
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V 直流
最大集电极-发射极饱和电压 3 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 3 V 直流
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V 直流
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V 直流
最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 60 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 60 V 直流
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 60 V 直流
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 60 V 直流
最大连续集电极电流 10 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 10 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 10 A
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 10 A
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 1000
ON Semiconductor 最小直流电流增益 1000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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2N6667G产品技术参数资料
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