MPSA13RLRAG,791-6218,ON Semiconductor MPSA13RLRAG NPN 达林顿晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE=5000, 3引脚 TO-92封装 ,ON Semiconductor
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MPSA13RLRAG
ON Semiconductor MPSA13RLRAG NPN 达林顿晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE=5000, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号：
MPSA13RLRAG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
791-6218
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MPSA13RLRAG产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
MPSA13RLRAG产品技术参数
安装类型
通孔
长度
5.2mm
尺寸
5.2 x 4.19 x 5.33mm
封装类型
TO-92
高度
5.33mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.19mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
10 V
最大功率耗散
625 mW
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极-基极电压
30 V
最大集电极-基极截止电流
100nA
最大连续集电极电流
500 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
5000
关键词
MPSA13RLRAG相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 5.2mm
ON Semiconductor 长度 5.2mm
达林顿晶体管 长度 5.2mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 5.2mm
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
ON Semiconductor 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
达林顿晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
封装类型 TO-92
ON Semiconductor 封装类型 TO-92
达林顿晶体管 封装类型 TO-92
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-92
高度 5.33mm
ON Semiconductor 高度 5.33mm
达林顿晶体管 高度 5.33mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 5.33mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.19mm
ON Semiconductor 宽度 4.19mm
达林顿晶体管 宽度 4.19mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.19mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 10 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 10 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 10 V
最大功率耗散 625 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 625 mW
达林顿晶体管 最大功率耗散 625 mW
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 625 mW
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极电压 30 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 30 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
最大集电极-基极电压 30 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 30 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 30 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 30 V
最大集电极-基极截止电流 100nA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 100nA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 100nA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 100nA
最大连续集电极电流 500 mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 500 mA
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 5000
ON Semiconductor 最小直流电流增益 5000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 5000
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 5000
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MPSA13RLRAG产品技术参数资料
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