NJVMJD122T4G,790-5444,ON Semiconductor NJVMJD122T4G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
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NJVMJD122T4G
ON Semiconductor NJVMJD122T4G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
NJVMJD122T4G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
790-5444
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NJVMJD122T4G产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
NJVMJD122T4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.38mm
封装类型
DPAK
高度
2.38mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
20 W
最大基极-发射极饱和电压
4.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
10μA
最大连续集电极电流
8 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
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NJVMJD122T4G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
ON Semiconductor 长度 6.73mm
达林顿晶体管 长度 6.73mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
ON Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
达林顿晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
封装类型 DPAK
ON Semiconductor 封装类型 DPAK
达林顿晶体管 封装类型 DPAK
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.38mm
ON Semiconductor 高度 2.38mm
达林顿晶体管 高度 2.38mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 2.38mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.22mm
ON Semiconductor 宽度 6.22mm
达林顿晶体管 宽度 6.22mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 6.22mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 20 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 20 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 20 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 20 W
最大基极-发射极饱和电压 4.5 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V
最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大集电极-基极截止电流 10μA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 10μA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 10μA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 10μA
最大连续集电极电流 8 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 8 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 8 A
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最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 最小直流电流增益 100
达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
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NJVMJD122T4G产品技术参数资料
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