MJH11022G,790-5397,ON Semiconductor MJH11022G NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=250 V, HFE=100, 3引脚 TO-247封装 ,ON Semiconductor
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MJH11022G
ON Semiconductor MJH11022G NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=250 V, HFE=100, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
MJH11022G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
790-5397
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MJH11022G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
16.26mm
尺寸
16.26 x 5.3 x 21.08mm
封装类型
TO-247
高度
21.08mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
5.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
150 W
最大基极-发射极饱和电压
3.8 V
最大集电极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极电压
250 V
最大集电极-基极电压
250 V
最大集电极-基极截止电流
5mA
最大连续集电极电流
15 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
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MJH11022G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 16.26mm
ON Semiconductor 长度 16.26mm
达林顿晶体管 长度 16.26mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 16.26mm
尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
ON Semiconductor 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
达林顿晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
封装类型 TO-247
ON Semiconductor 封装类型 TO-247
达林顿晶体管 封装类型 TO-247
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-247
高度 21.08mm
ON Semiconductor 高度 21.08mm
达林顿晶体管 高度 21.08mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 21.08mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.3mm
ON Semiconductor 宽度 5.3mm
达林顿晶体管 宽度 5.3mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 5.3mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 150 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 150 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 150 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 150 W
最大基极-发射极饱和电压 3.8 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 3.8 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 3.8 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 3.8 V
最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极电压 250 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 250 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 250 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 250 V
最大集电极-基极电压 250 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 250 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 250 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 250 V
最大集电极-基极截止电流 5mA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 5mA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 5mA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 5mA
最大连续集电极电流 15 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 15 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 15 A
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最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 最小直流电流增益 100
达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
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MJH11022G产品技术参数资料
MJH11017/19/21 PNP & MJH1018/20/22 NPN Complementary Darlington Power Transistors Data Sheet
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