MMBT6427LT1G,781-4253,ON Semiconductor MMBT6427LT1G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=40 V, HFE=10000, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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MMBT6427LT1G
ON Semiconductor MMBT6427LT1G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=40 V, HFE=10000, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
MMBT6427LT1G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
781-4253
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MMBT6427LT1G产品详细信息
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
MMBT6427LT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.04mm
尺寸
3.04 x 1.4 x 1.01mm
封装类型
SOT-23
高度
1.01mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
12 V
最大功率耗散
300 mW
最大基极-发射极饱和电压
2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
40 V
最大集电极-基极电压
40 V
最大集电极-基极截止电流
50nA
最大连续集电极电流
500 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
10000
关键词
MMBT6427LT1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.04mm
ON Semiconductor 长度 3.04mm
达林顿晶体管 长度 3.04mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 3.04mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
ON Semiconductor 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
达林顿晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 封装类型 SOT-23
达林顿晶体管 封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1.01mm
ON Semiconductor 高度 1.01mm
达林顿晶体管 高度 1.01mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 1.01mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
ON Semiconductor 宽度 1.4mm
达林顿晶体管 宽度 1.4mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 1.4mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 12 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 12 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 12 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 12 V
最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 300 mW
达林顿晶体管 最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 300 mW
最大基极-发射极饱和电压 2 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 2 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极电压 40 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 40 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V
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最大集电极-基极电压 40 V
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达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 40 V
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最大集电极-基极截止电流 50nA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 50nA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 50nA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 50nA
最大连续集电极电流 500 mA
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 500 mA
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 500 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 10000
ON Semiconductor 最小直流电流增益 10000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 10000
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MMBT6427LT1G产品技术参数资料
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