TIP122G,774-3656,ON Semiconductor TIP122G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装 ,ON Semiconductor
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TIP122G
ON Semiconductor TIP122G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
TIP122G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
774-3656
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
TIP122G产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
TIP122G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.75mm
尺寸
15.75 x 10.28 x 4.82mm
封装类型
TO-220
高度
4.82mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
10.28mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
65 W
最大集电极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
0.5mA
最大连续集电极电流
8 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
关键词
TIP122G配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号：
SPK6-0.006-00-54
品牌：
Bergquist
库存编号：
707-3355
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 15.75mm
ON Semiconductor 长度 15.75mm
达林顿晶体管 长度 15.75mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 15.75mm
尺寸 15.75 x 10.28 x 4.82mm
ON Semiconductor 尺寸 15.75 x 10.28 x 4.82mm
达林顿晶体管 尺寸 15.75 x 10.28 x 4.82mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 15.75 x 10.28 x 4.82mm
封装类型 TO-220
ON Semiconductor 封装类型 TO-220
达林顿晶体管 封装类型 TO-220
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220
高度 4.82mm
ON Semiconductor 高度 4.82mm
达林顿晶体管 高度 4.82mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 4.82mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 10.28mm
ON Semiconductor 宽度 10.28mm
达林顿晶体管 宽度 10.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 10.28mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 65 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 65 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 65 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 65 W
最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大集电极-基极截止电流 0.5mA
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达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.5mA
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最大连续集电极电流 8 A
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 1000
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达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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TIP122G产品技术参数资料
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