2N6052G,774-3246,ON Semiconductor 2N6052G PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装 ,ON Semiconductor
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2N6052G
ON Semiconductor 2N6052G PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装
制造商零件编号：
2N6052G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
774-3246
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2N6052G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
39.37mm
尺寸
39.37 x 26.67 x 8.51mm
封装类型
TO-204
高度
8.51mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
26.67mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
2
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
150 W
最大基极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极饱和电压
3 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
1mA
最大连续集电极电流
12 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+200 °C
最小直流电流增益
100
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2N6052G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 39.37mm
ON Semiconductor 长度 39.37mm
达林顿晶体管 长度 39.37mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 39.37mm
尺寸 39.37 x 26.67 x 8.51mm
ON Semiconductor 尺寸 39.37 x 26.67 x 8.51mm
达林顿晶体管 尺寸 39.37 x 26.67 x 8.51mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 39.37 x 26.67 x 8.51mm
封装类型 TO-204
ON Semiconductor 封装类型 TO-204
达林顿晶体管 封装类型 TO-204
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-204
高度 8.51mm
ON Semiconductor 高度 8.51mm
达林顿晶体管 高度 8.51mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 8.51mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 26.67mm
ON Semiconductor 宽度 26.67mm
达林顿晶体管 宽度 26.67mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 26.67mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 2
ON Semiconductor 引脚数目 2
达林顿晶体管 引脚数目 2
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 2
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 150 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 150 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 150 W
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大功率耗散 150 W
最大基极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极饱和电压 3 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大集电极-基极截止电流 1mA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 1mA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 1mA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 1mA
最大连续集电极电流 12 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 12 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 12 A
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 12 A
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +200 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +200 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +200 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +200 °C
最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 最小直流电流增益 100
达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
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2N6052G产品技术参数资料
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