BSP 62,752-8209,Infineon BSP 62 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,Infineon
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BSP 62
Infineon BSP 62 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号:
BSP 62
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
752-8209
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSP 62产品详细信息
复合晶体管,Infineon
BSP 62产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型
SOT-223
高度
1.6mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
3.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3 + Tab
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
1.5 W
最大基极-发射极饱和电压
2.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.8 V
最大集电极-发射极电压
80 V
最大集电极-基极电压
90 V
最大集电极-基极截止电流
10μA
最大连续集电极电流
1 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
关键词
BSP 62相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.5mm
Infineon 长度 6.5mm
达林顿晶体管 长度 6.5mm
Infineon 达林顿晶体管 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
达林顿晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon 达林顿晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型 SOT-223
Infineon 封装类型 SOT-223
达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
Infineon 达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.6mm
Infineon 高度 1.6mm
达林顿晶体管 高度 1.6mm
Infineon 达林顿晶体管 高度 1.6mm
晶体管类型 PNP
Infineon 晶体管类型 PNP
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Infineon 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
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宽度 3.5mm
Infineon 宽度 3.5mm
达林顿晶体管 宽度 3.5mm
Infineon 达林顿晶体管 宽度 3.5mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3 + Tab
Infineon 引脚数目 3 + Tab
达林顿晶体管 引脚数目 3 + Tab
Infineon 达林顿晶体管 引脚数目 3 + Tab
最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 1.5 W
Infineon 最大功率耗散 1.5 W
达林顿晶体管 最大功率耗散 1.5 W
Infineon 达林顿晶体管 最大功率耗散 1.5 W
最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
Infineon 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
Infineon 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
最大集电极-发射极电压 80 V
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最大集电极-基极电压 90 V
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 1000
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达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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BSP 62产品技术参数资料
BSP60-BSP62, PNP Silicon Darlington Transistor
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