关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm
封装类型	TO-252
高度	2.4mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	6.2mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大基极-发射极饱和电压	4 V
最大集电极-发射极饱和电压	3 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	100 V
最大集电极-基极截止电流	0.02mA
最大连续集电极电流	4 A
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	200
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  达林顿晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  STMicroelectronics 长度 6.6mm  达林顿晶体管 长度 6.6mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  达林顿晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm   封装类型 TO-252  STMicroelectronics 封装类型 TO-252  达林顿晶体管 封装类型 TO-252  STMicroelectronics 达林顿晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.4mm  STMicroelectronics 高度 2.4mm  达林顿晶体管 高度 2.4mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 高度 2.4mm   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  达林顿晶体管 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  达林顿晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.2mm  STMicroelectronics 宽度 6.2mm  达林顿晶体管 宽度 6.2mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 6.2mm   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  达林顿晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics 达林顿晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  STMicroelectronics 最大发射极-基极电压 5 V  达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大基极-发射极饱和电压 4 V  STMicroelectronics 最大基极-发射极饱和电压 4 V  达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V   最大集电极-发射极饱和电压 3 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 3 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V   最大集电极-发射极电压 100 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 100 V  STMicroelectronics 最大集电极-基极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V   最大集电极-基极截止电流 0.02mA  STMicroelectronics 最大集电极-基极截止电流 0.02mA  达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.02mA  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.02mA   最大连续集电极电流 4 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 4 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 4 A  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 4 A   最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -65 °C  达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 200  STMicroelectronics 最小直流电流增益 200  达林顿晶体管 最小直流电流增益 200  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 200  

• MJD112 MJD117 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Data Sheet
• MJD112, MJD117, Complementary Power Darlington Transistors