ULN2003ADR,665-8699,Texas Instruments ULN2003ADR NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装 ,Texas Instruments
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ULN2003ADR
Texas Instruments ULN2003ADR NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
ULN2003ADR
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
库存编号:
665-8699
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ULN2003ADR产品详细信息
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
This array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.
ULN2003ADR产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
9.9mm
尺寸
9.9 x 3.91 x 1.58mm
封装类型
SOIC
高度
1.58mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
共发射极
宽度
3.91mm
每片芯片元件数目
7
引脚数目
16
最大集电极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
0.5 A
最低工作温度
-20 °C
最高工作温度
+70 °C
关键词
ULN2003ADR相关搜索
安装类型 表面贴装
Texas Instruments 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 9.9mm
Texas Instruments 长度 9.9mm
达林顿晶体管 长度 9.9mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 长度 9.9mm
尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm
Texas Instruments 尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm
达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 尺寸 9.9 x 3.91 x 1.58mm
封装类型 SOIC
Texas Instruments 封装类型 SOIC
达林顿晶体管 封装类型 SOIC
Texas Instruments 达林顿晶体管 封装类型 SOIC
高度 1.58mm
Texas Instruments 高度 1.58mm
达林顿晶体管 高度 1.58mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 高度 1.58mm
晶体管类型 NPN
Texas Instruments 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
Texas Instruments 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 共发射极
Texas Instruments 晶体管配置 共发射极
达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
Texas Instruments 达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
宽度 3.91mm
Texas Instruments 宽度 3.91mm
达林顿晶体管 宽度 3.91mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 宽度 3.91mm
每片芯片元件数目 7
Texas Instruments 每片芯片元件数目 7
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7
Texas Instruments 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7
引脚数目 16
Texas Instruments 引脚数目 16
达林顿晶体管 引脚数目 16
Texas Instruments 达林顿晶体管 引脚数目 16
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
Texas Instruments 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
最大集电极-发射极电压 50 V
Texas Instruments 最大集电极-发射极电压 50 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 0.5 A
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达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.5 A
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最低工作温度 -20 °C
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达林顿晶体管 最低工作温度 -20 °C
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最高工作温度 +70 °C
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