TIP127G,545-2361,ON Semiconductor TIP127G PNP 达林顿晶体管对, 5 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220AB封装 ,ON Semiconductor
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TIP127G
ON Semiconductor TIP127G PNP 达林顿晶体管对, 5 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
TIP127G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
545-2361
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
TIP127G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.28mm
尺寸
10.28 x 4.82 x 9.28mm
封装类型
TO-220AB
高度
9.28mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
4.82mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大集电极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
0.2mA
最大连续集电极电流
5 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 10.28mm
ON Semiconductor 长度 10.28mm
达林顿晶体管 长度 10.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 10.28mm
尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
ON Semiconductor 尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
达林顿晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
封装类型 TO-220AB
ON Semiconductor 封装类型 TO-220AB
达林顿晶体管 封装类型 TO-220AB
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220AB
高度 9.28mm
ON Semiconductor 高度 9.28mm
达林顿晶体管 高度 9.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 9.28mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.82mm
ON Semiconductor 宽度 4.82mm
达林顿晶体管 宽度 4.82mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.82mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V
最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大集电极-基极截止电流 0.2mA
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最大连续集电极电流 5 A
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最低工作温度 -65 °C
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达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 1000
ON Semiconductor 最小直流电流增益 1000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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