BU323ZG,545-0157,ON Semiconductor BU323ZG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=350 V, HFE=150, 3引脚 SOT-93封装 ,ON Semiconductor
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BU323ZG
ON Semiconductor BU323ZG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=350 V, HFE=150, 3引脚 SOT-93封装
制造商零件编号：
BU323ZG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
545-0157
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BU323ZG产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
BU323ZG产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.2mm
尺寸
15.2 x 4.9 x 16.2mm
封装类型
SOT-93
高度
16.2mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.9mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大基极-发射极饱和电压
2.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极电压
350 V
最大集电极-基极截止电流
0.1mA
最大连续集电极电流
10 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+175 °C
最小直流电流增益
150
关键词
BU323ZG相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 15.2mm
ON Semiconductor 长度 15.2mm
达林顿晶体管 长度 15.2mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 15.2mm
尺寸 15.2 x 4.9 x 16.2mm
ON Semiconductor 尺寸 15.2 x 4.9 x 16.2mm
达林顿晶体管 尺寸 15.2 x 4.9 x 16.2mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 15.2 x 4.9 x 16.2mm
封装类型 SOT-93
ON Semiconductor 封装类型 SOT-93
达林顿晶体管 封装类型 SOT-93
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 SOT-93
高度 16.2mm
ON Semiconductor 高度 16.2mm
达林顿晶体管 高度 16.2mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 16.2mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.9mm
ON Semiconductor 宽度 4.9mm
达林顿晶体管 宽度 4.9mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.9mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
最大集电极-发射极电压 350 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 350 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 350 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 350 V
最大集电极-基极截止电流 0.1mA
ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 0.1mA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.1mA
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.1mA
最大连续集电极电流 10 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 10 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 10 A
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 10 A
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小直流电流增益 150
ON Semiconductor 最小直流电流增益 150
达林顿晶体管 最小直流电流增益 150
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 150
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Datasheet
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