BDX33CG,544-9905,ON Semiconductor BDX33CG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220AB封装 ,ON Semiconductor
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BDX33CG
ON Semiconductor BDX33CG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
BDX33CG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
544-9905
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BDX33CG产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
BDX33CG产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.28mm
尺寸
10.28 x 4.82 x 9.28mm
封装类型
TO-220AB
高度
9.28mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.82mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大集电极-发射极饱和电压
2.5 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
1mA
最大连续集电极电流
10 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
750
关键词
BDX33CG相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 10.28mm
ON Semiconductor 长度 10.28mm
达林顿晶体管 长度 10.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 10.28mm
尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
ON Semiconductor 尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
达林顿晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 9.28mm
封装类型 TO-220AB
ON Semiconductor 封装类型 TO-220AB
达林顿晶体管 封装类型 TO-220AB
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-220AB
高度 9.28mm
ON Semiconductor 高度 9.28mm
达林顿晶体管 高度 9.28mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 9.28mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.82mm
ON Semiconductor 宽度 4.82mm
达林顿晶体管 宽度 4.82mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 4.82mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大集电极-基极截止电流 1mA
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达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 1mA
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最大连续集电极电流 10 A
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达林顿晶体管 最大连续集电极电流 10 A
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最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 750
ON Semiconductor 最小直流电流增益 750
达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
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