2SD1509(Q),531-9848,Toshiba 2SD1509(Q) NPN 达林顿晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 PW Mold封装 ,Toshiba
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2SD1509(Q)
Toshiba 2SD1509(Q) NPN 达林顿晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 PW Mold封装
制造商零件编号:
2SD1509(Q)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
531-9848
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SD1509(Q)产品详细信息
NPN Darlington Transistors, Toshiba
2SD1509(Q)产品技术参数
安装类型
通孔
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 5.5 x 2.3mm
封装类型
PW Mold
高度
2.3mm
晶体管类型
NPN
宽度
5.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
8 V
最大基极-发射极饱和电压
2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
80 V
最大集电极-基极电压
80 V
最大集电极-基极截止电流
0.01mA
最大连续集电极电流
2 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
2000
关键词
2SD1509(Q)相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
Toshiba 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 6.5mm
Toshiba 长度 6.5mm
达林顿晶体管 长度 6.5mm
Toshiba 达林顿晶体管 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
Toshiba 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
达林顿晶体管 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
Toshiba 达林顿晶体管 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
封装类型 PW Mold
Toshiba 封装类型 PW Mold
达林顿晶体管 封装类型 PW Mold
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高度 2.3mm
Toshiba 高度 2.3mm
达林顿晶体管 高度 2.3mm
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晶体管类型 NPN
Toshiba 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
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宽度 5.5mm
Toshiba 宽度 5.5mm
达林顿晶体管 宽度 5.5mm
Toshiba 达林顿晶体管 宽度 5.5mm
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 8 V
Toshiba 最大发射极-基极电压 8 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 8 V
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最大基极-发射极饱和电压 2 V
Toshiba 最大基极-发射极饱和电压 2 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
Toshiba 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
Toshiba 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极电压 80 V
Toshiba 最大集电极-发射极电压 80 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V
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最大集电极-基极电压 80 V
Toshiba 最大集电极-基极电压 80 V
达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 80 V
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最大集电极-基极截止电流 0.01mA
Toshiba 最大集电极-基极截止电流 0.01mA
达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.01mA
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最大连续集电极电流 2 A
Toshiba 最大连续集电极电流 2 A
达林顿晶体管 最大连续集电极电流 2 A
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最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 2000
Toshiba 最小直流电流增益 2000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 2000
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