BDW93C,485-9042,STMicroelectronics BDW93C NPN 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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BDW93C
STMicroelectronics BDW93C NPN 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
BDW93C
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
485-9042
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BDW93C产品详细信息
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics
BDW93C产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 9.15mm
封装类型
TO-220
高度
9.15mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大基极-发射极饱和电压
4 V
最大集电极-发射极饱和电压
3 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
0.1mA
最大连续集电极电流
12 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
关键词
BDW93C相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
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长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
达林顿晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
达林顿晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
达林顿晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics 达林顿晶体管 封装类型 TO-220
高度 9.15mm
STMicroelectronics 高度 9.15mm
达林顿晶体管 高度 9.15mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 高度 9.15mm
晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
达林顿晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 4.6mm
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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最大基极-发射极饱和电压 4 V
STMicroelectronics 最大基极-发射极饱和电压 4 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V
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最大集电极-发射极饱和电压 3 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
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最大集电极-发射极电压 100 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
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达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
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最大集电极-基极截止电流 0.1mA
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最大连续集电极电流 12 A
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 100
STMicroelectronics 最小直流电流增益 100
达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100
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