BD682,251-9893,STMicroelectronics BD682 PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装 ,STMicroelectronics
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BD682
STMicroelectronics BD682 PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装
制造商零件编号:
BD682
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
251-9893
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BD682产品详细信息
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics
BD682产品技术参数
安装类型
通孔
长度
7.8mm
尺寸
7.8 x 2.7 x 10.8mm
封装类型
SOT-32
高度
10.8mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
2.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大集电极-发射极饱和电压
2.5 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
0.2mA
最大连续集电极电流
4 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
750
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安装类型 通孔
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达林顿晶体管 安装类型 通孔
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长度 7.8mm
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达林顿晶体管 长度 7.8mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 7.8mm
尺寸 7.8 x 2.7 x 10.8mm
STMicroelectronics 尺寸 7.8 x 2.7 x 10.8mm
达林顿晶体管 尺寸 7.8 x 2.7 x 10.8mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 7.8 x 2.7 x 10.8mm
封装类型 SOT-32
STMicroelectronics 封装类型 SOT-32
达林顿晶体管 封装类型 SOT-32
STMicroelectronics 达林顿晶体管 封装类型 SOT-32
高度 10.8mm
STMicroelectronics 高度 10.8mm
达林顿晶体管 高度 10.8mm
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晶体管类型 PNP
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达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
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宽度 2.7mm
STMicroelectronics 宽度 2.7mm
达林顿晶体管 宽度 2.7mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 2.7mm
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 5 V
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达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
最大集电极-发射极电压 100 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 750
STMicroelectronics 最小直流电流增益 750
达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
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