STX117-AP,102-3570,STMicroelectronics STX117-AP PNP 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-92AP封装 ,STMicroelectronics
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STX117-AP
STMicroelectronics STX117-AP PNP 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-92AP封装
制造商零件编号:
STX117-AP
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
102-3570
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STX117-AP产品详细信息
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics
STX117-AP产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.8mm
尺寸
4.8 x 3.8 x 4.5mm
封装类型
TO-92AP
高度
4.5mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
3.8mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
1.2 W
最大集电极-发射极饱和电压
2.5 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
2mA
最大连续集电极电流
2 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
500
关键词
STX117-AP相关搜索
安装类型 通孔
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达林顿晶体管 安装类型 通孔
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长度 4.8mm
STMicroelectronics 长度 4.8mm
达林顿晶体管 长度 4.8mm
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尺寸 4.8 x 3.8 x 4.5mm
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达林顿晶体管 尺寸 4.8 x 3.8 x 4.5mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 4.8 x 3.8 x 4.5mm
封装类型 TO-92AP
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达林顿晶体管 封装类型 TO-92AP
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高度 4.5mm
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晶体管类型 PNP
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晶体管配置 单
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达林顿晶体管 晶体管配置 单
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宽度 3.8mm
STMicroelectronics 宽度 3.8mm
达林顿晶体管 宽度 3.8mm
STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 3.8mm
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 5 V
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达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 1.2 W
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达林顿晶体管 最大功率耗散 1.2 W
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最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
最大集电极-发射极电压 100 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
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最大集电极-基极电压 100 V
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最大连续集电极电流 2 A
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最小直流电流增益 500
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达林顿晶体管 最小直流电流增益 500
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STX117-AP产品技术参数资料
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