BD681G,100-7566,ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装 ,ON Semiconductor
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BD681G
ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
制造商零件编号：
BD681G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
100-7566
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BD681G产品详细信息
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
BD681G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
7.74mm
尺寸
7.74 x 2.66 x 11.04mm
封装类型
TO-225
高度
11.04mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
2.66mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大集电极-发射极饱和电压
2.5 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大集电极-基极截止电流
0.2mA
最大连续集电极电流
4 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
750
关键词
BD681G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 通孔
长度 7.74mm
ON Semiconductor 长度 7.74mm
达林顿晶体管 长度 7.74mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 7.74mm
尺寸 7.74 x 2.66 x 11.04mm
ON Semiconductor 尺寸 7.74 x 2.66 x 11.04mm
达林顿晶体管 尺寸 7.74 x 2.66 x 11.04mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 7.74 x 2.66 x 11.04mm
封装类型 TO-225
ON Semiconductor 封装类型 TO-225
达林顿晶体管 封装类型 TO-225
ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 TO-225
高度 11.04mm
ON Semiconductor 高度 11.04mm
达林顿晶体管 高度 11.04mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 11.04mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.66mm
ON Semiconductor 宽度 2.66mm
达林顿晶体管 宽度 2.66mm
ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 2.66mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
达林顿晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
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达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V
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最大集电极-发射极电压 100 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
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达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
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最大连续集电极电流 4 A
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达林顿晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 750
ON Semiconductor 最小直流电流增益 750
达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 750
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BD681G产品技术参数资料
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